收藏！PERC技术36条答疑
1.氧化铝厚度对电性能的影响？PID、LeTID有没有影响？
氧化铝厚度对PID、LeTID没有影响，如果做双面氧化铝对PID的影响比较大
2.ALD氧化铝如何解决绕镀
目前ALD分两种，以板式和管式为主。板式，硅片平铺在载板上，绕镀可以控制在0.5mm以内。管式，一种是单插双镀，两边同时镀膜解决绕镀问题，镀双面会有比较大的隐患，正面氧化铝与扩散PN结成反型，起负电场的作用，对PID有比较大影响，对于正负1500V击穿测试过不了；另一种双插单镀，以硅片背靠背形式插片解决，
3.双面氧化铝对正面的影响
正面常规结构主要是氮化硅薄膜，浆料以烧穿氮化硅为主，如果有额外的氧化铝，表面负电场与PN结反型，对折射率是有益处，但对浆料的烧穿体系来说没有益处，另外再加上对PID的影响，对正面的影响比较大
4.氧化铝钝化在n型硅的前景
对于P型电池是背面钝化，对于N型，同样可以起到钝化效果，但是是正面钝化，ALD优势在镀膜质量高、均匀性好，可以做到更薄，N型量产电池厂家主要选ALD作氧化铝钝化。
5.双面氧化铝的话对浆料的要求
常规浆料以烧穿氮化硅为目的，对于氧化铝膜，需要在玻璃粉方面要作调整，刚开始调试阶段的主要问题是拉力不足，没有烧穿氧化铝，没有与硅片形成良好的欧姆接触
6.氧化铝沉积方式对Tma消耗的差异
沉积方式以PECVD和ALD为主，PECVD反应的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大约4mg/片，而PECVD的耗量则为ALD的两倍。
7.双面氧化铝改单面氧化铝存在的问题及解决办法
主要在管式ALD上改，主要问题在花篮的槽距，如果槽距过大反镀会比较严重，如果槽距过小则会有划伤情况，需要实际调整。
8.氧化铝设备单边发黑的处理
氧化铝边缘发黑，成膜均匀性在初期有些问题，或者自动化设备在上下料时有异常发生，正常生产是不会有单边发黑的情况。
9.单面PID解决办法？双面怎么保证双面PID
对于PID，正面以热氧为主，提升效率同时解决PID问题；背面使用渐进膜或类似生成氧化硅的薄膜来解决PID问题。双面PID与单面类似，正面以氧化退火为主，背面以氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象
10.碱抛机台提效方案。
碱抛可以提升效率，降低化学品耗量，减轻环保压力，带来1分钱/片收益，但提效对SE来说不够明显，还需优化，
11.退火温度与退火时间对氧化铝钝化性能的影响？氧化铝与氮化硅的氢钝化，哪个起主导作用？氢钝化机理、氢的传输过程是什么？
以ALD来说，退火温度，膜越薄退火温度越高，主要由生成膜的质量和成膜特性决定，ALD与CVD对退火要求不同
ALD氧化铝退火机理，采用水作为氧源，含氢氧键，钝化表面悬挂键，降低界面态密度，大大增加固定负电荷的能力，起到场钝化的作用
12.ALD氧化铝的前驱体氧源是水和臭氧有什么区别
对效率没有影响，主要是工业对成本、稳定性、控制性方面的考虑，水更符合大规模应用
14.对PERC技术最大挑战的技术路线是什么？
从技术讲HIT，IBC、TOPCon等比较有优势，但都不具备成本竞争力
15 perc电池如何叠加非晶硅技术，目前效率如何
目前没有PERC叠加非晶硅的技术，钙钛矿方面目前有新的进展
16.perc未来的提效方向在哪里
大规模生产，提高良率，降低成本
19.单面SE玛雅PERC产品低效片静置会出现气泡发黑，效率跳档严重，重烧后效率有所提升，EL有改善，但静置后会复原，如何改善
怀疑点：氧化铝厚度不均匀，局部异常导致，烧结过烧，光注入或电注入的条件需要优化
20.制绒良率提升，碱抛的优势
制绒良率的提升主要以添加剂为主，其次是设备控制精度，从早期的慢速制绒添加剂到现在的快速制绒添加剂；碱抛优势：背面较高反射率降低表面复合，提高少子寿命
21. 板P，管P，ALD，三种工艺制备的AlOx薄膜最适厚度区间各是多少，退火温度有没有区别，为什么？
板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，3-8nm。退火温度达不到，会造成片子整体发黑，效率降低导致降档
22.perc电池，氧化铝膜层在高温烧结时会出现小气泡，原理是什么，应该怎样解决？
成膜时氢氧键过多，在反应时水过量，退火时氢氧散逸或退火不充分造成
23.通过酸背抛提高反射率到40%与碱背抛效率那個有优势
不管酸抛还是碱抛，反射率到40%效率差异不大，主要从化学品耗量考虑，如果用酸抛需要用到大量化学品，处理成本也高
24.双面电池目前在组件端，只有用POE封装才能通过抗PID测试，用EVA封装抗PID测试失效，如何解决双面电池抗PID问题？
背面引入氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象，同时正面避免额外的氧化铝干扰
25.用maia和微导，理想等设备生产PERC电池和常规电池比增加背面工艺的成本分别是多少？
目前maia在开机率和TMA耗量上比ALD高，ALD含折旧成本在0.11元/片左右
27. ALD氧化铝绕镀与烧结的匹配性，有没有定论？
氧化铝绕镀会造成正面氧化铝不均匀，厚度不同对浆料要求不同，导致部分区域过烧或欠烧，造成接触不好。
28.如何提高酸背抛背面反射率，背面反射率是不是越高越好，对比了很多公司，背面反射率相差很大啊。每次停机久了，就有很多el水痕印，如何改善。酸背抛碱槽及酸槽浓度或者导电度一般控制在多少啊？
反射率主要看前后道工序匹配；el水痕印主要在开机后跑假片解决
29.Perc+SE氧化铝厚度与少子寿命对效率的影响，关键性？单根管氧化铝的不均匀度管控在多少
关系见PPT；管内不均匀性，对电池效率影响不大
30.ALD氧化铝对比其他机台优势在哪，效率有增益原理说明及管P是否有调整优化空间？
ALD在成膜质量、TMA耗量、开机率方面有优势；管P，通过提前开启PLASMA增强升温速率提升单机产能
31. SE电阻与PERC效率之间的关系？SE叠加PERC后需要注意最重要的工艺参数？PERC叠加SE采用哪种SE方式比较合适？为什么？
SE技术出现比较早，包括化学、二次扩散等，目前激光综合性能是最高的。后续由于PERC电池开压的提升，SE叠加PERC会有0.2-0.3%的提升。
32.除了目前火爆的PERC，后续还有什么技术路线值得关注？各有什么特点？
目前，n-TOPCon可以与现有产线兼容，是设备升级厂家关注点，HIT由于设备投资比较大，是新建厂关注点
34.SE对扩散结的要求以及方阻下降值多少合适如何确定
根据之前Schmid机台做化学SE经验，碱处理会导致方阻升高，碱处理后的方阻，与浆料匹配，来达到良好的接触
35.SE 技术还有哪些提效空间。
早期浆料的效果超越了SE，后面由于PERC的出现，形成1+1>2的效果，SE成为了标配，但由于本轮PERC电池的下跌，对其他电池的挤出作用会更加明显。
36. PERC电池技术路线
高方阻密栅，不管是常规电池还是PERC电池都适用，包括SE方式，主栅从3BB、4BB、5BB到MBB，都是这种方式。
来源：光伏技术共享交流
![]()
今日科普：☞☞异质结是目前结构最简单、制程工艺最少，良率最易控制，未来降本潜力最大的电池技术。
1.氧化铝厚度对电性能的影响？PID、LeTID有没有影响？
氧化铝厚度对PID、LeTID没有影响，如果做双面氧化铝对PID的影响比较大
2.ALD氧化铝如何解决绕镀
目前ALD分两种，以板式和管式为主。板式，硅片平铺在载板上，绕镀可以控制在0.5mm以内。管式，一种是单插双镀，两边同时镀膜解决绕镀问题，镀双面会有比较大的隐患，正面氧化铝与扩散PN结成反型，起负电场的作用，对PID有比较大影响，对于正负1500V击穿测试过不了；另一种双插单镀，以硅片背靠背形式插片解决，
3.双面氧化铝对正面的影响
正面常规结构主要是氮化硅薄膜，浆料以烧穿氮化硅为主，如果有额外的氧化铝，表面负电场与PN结反型，对折射率是有益处，但对浆料的烧穿体系来说没有益处，另外再加上对PID的影响，对正面的影响比较大
4.氧化铝钝化在n型硅的前景
对于P型电池是背面钝化，对于N型，同样可以起到钝化效果，但是是正面钝化，ALD优势在镀膜质量高、均匀性好，可以做到更薄，N型量产电池厂家主要选ALD作氧化铝钝化。
5.双面氧化铝的话对浆料的要求
常规浆料以烧穿氮化硅为目的，对于氧化铝膜，需要在玻璃粉方面要作调整，刚开始调试阶段的主要问题是拉力不足，没有烧穿氧化铝，没有与硅片形成良好的欧姆接触
6.氧化铝沉积方式对Tma消耗的差异
沉积方式以PECVD和ALD为主，PECVD反应的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大约4mg/片，而PECVD的耗量则为ALD的两倍。
7.双面氧化铝改单面氧化铝存在的问题及解决办法
主要在管式ALD上改，主要问题在花篮的槽距，如果槽距过大反镀会比较严重，如果槽距过小则会有划伤情况，需要实际调整。
8.氧化铝设备单边发黑的处理
氧化铝边缘发黑，成膜均匀性在初期有些问题，或者自动化设备在上下料时有异常发生，正常生产是不会有单边发黑的情况。
9.单面PID解决办法？双面怎么保证双面PID
对于PID，正面以热氧为主，提升效率同时解决PID问题；背面使用渐进膜或类似生成氧化硅的薄膜来解决PID问题。双面PID与单面类似，正面以氧化退火为主，背面以氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象
10.碱抛机台提效方案。
碱抛可以提升效率，降低化学品耗量，减轻环保压力，带来1分钱/片收益，但提效对SE来说不够明显，还需优化，
11.退火温度与退火时间对氧化铝钝化性能的影响？氧化铝与氮化硅的氢钝化，哪个起主导作用？氢钝化机理、氢的传输过程是什么？
以ALD来说，退火温度，膜越薄退火温度越高，主要由生成膜的质量和成膜特性决定，ALD与CVD对退火要求不同
ALD氧化铝退火机理，采用水作为氧源，含氢氧键，钝化表面悬挂键，降低界面态密度，大大增加固定负电荷的能力，起到场钝化的作用
12.ALD氧化铝的前驱体氧源是水和臭氧有什么区别
对效率没有影响，主要是工业对成本、稳定性、控制性方面的考虑，水更符合大规模应用
14.对PERC技术最大挑战的技术路线是什么？
从技术讲HIT，IBC、TOPCon等比较有优势，但都不具备成本竞争力
15 perc电池如何叠加非晶硅技术，目前效率如何
目前没有PERC叠加非晶硅的技术，钙钛矿方面目前有新的进展
16.perc未来的提效方向在哪里
大规模生产，提高良率，降低成本
19.单面SE玛雅PERC产品低效片静置会出现气泡发黑，效率跳档严重，重烧后效率有所提升，EL有改善，但静置后会复原，如何改善
怀疑点：氧化铝厚度不均匀，局部异常导致，烧结过烧，光注入或电注入的条件需要优化
20.制绒良率提升，碱抛的优势
制绒良率的提升主要以添加剂为主，其次是设备控制精度，从早期的慢速制绒添加剂到现在的快速制绒添加剂；碱抛优势：背面较高反射率降低表面复合，提高少子寿命
21. 板P，管P，ALD，三种工艺制备的AlOx薄膜最适厚度区间各是多少，退火温度有没有区别，为什么？
板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，3-8nm。退火温度达不到，会造成片子整体发黑，效率降低导致降档
22.perc电池，氧化铝膜层在高温烧结时会出现小气泡，原理是什么，应该怎样解决？
成膜时氢氧键过多，在反应时水过量，退火时氢氧散逸或退火不充分造成
23.通过酸背抛提高反射率到40%与碱背抛效率那個有优势
不管酸抛还是碱抛，反射率到40%效率差异不大，主要从化学品耗量考虑，如果用酸抛需要用到大量化学品，处理成本也高
24.双面电池目前在组件端，只有用POE封装才能通过抗PID测试，用EVA封装抗PID测试失效，如何解决双面电池抗PID问题？
背面引入氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象，同时正面避免额外的氧化铝干扰
25.用maia和微导，理想等设备生产PERC电池和常规电池比增加背面工艺的成本分别是多少？
目前maia在开机率和TMA耗量上比ALD高，ALD含折旧成本在0.11元/片左右
27. ALD氧化铝绕镀与烧结的匹配性，有没有定论？
氧化铝绕镀会造成正面氧化铝不均匀，厚度不同对浆料要求不同，导致部分区域过烧或欠烧，造成接触不好。
28.如何提高酸背抛背面反射率，背面反射率是不是越高越好，对比了很多公司，背面反射率相差很大啊。每次停机久了，就有很多el水痕印，如何改善。酸背抛碱槽及酸槽浓度或者导电度一般控制在多少啊？
反射率主要看前后道工序匹配；el水痕印主要在开机后跑假片解决
29.Perc+SE氧化铝厚度与少子寿命对效率的影响，关键性？单根管氧化铝的不均匀度管控在多少
关系见PPT；管内不均匀性，对电池效率影响不大
30.ALD氧化铝对比其他机台优势在哪，效率有增益原理说明及管P是否有调整优化空间？
ALD在成膜质量、TMA耗量、开机率方面有优势；管P，通过提前开启PLASMA增强升温速率提升单机产能
31. SE电阻与PERC效率之间的关系？SE叠加PERC后需要注意最重要的工艺参数？PERC叠加SE采用哪种SE方式比较合适？为什么？
SE技术出现比较早，包括化学、二次扩散等，目前激光综合性能是最高的。后续由于PERC电池开压的提升，SE叠加PERC会有0.2-0.3%的提升。
32.除了目前火爆的PERC，后续还有什么技术路线值得关注？各有什么特点？
目前，n-TOPCon可以与现有产线兼容，是设备升级厂家关注点，HIT由于设备投资比较大，是新建厂关注点
34.SE对扩散结的要求以及方阻下降值多少合适如何确定
根据之前Schmid机台做化学SE经验，碱处理会导致方阻升高，碱处理后的方阻，与浆料匹配，来达到良好的接触
35.SE 技术还有哪些提效空间。
早期浆料的效果超越了SE，后面由于PERC的出现，形成1+1>2的效果，SE成为了标配，但由于本轮PERC电池的下跌，对其他电池的挤出作用会更加明显。
36. PERC电池技术路线
高方阻密栅，不管是常规电池还是PERC电池都适用，包括SE方式，主栅从3BB、4BB、5BB到MBB，都是这种方式。
来源：光伏技术共享交流
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今日科普：☞☞异质结是目前结构最简单、制程工艺最少，良率最易控制，未来降本潜力最大的电池技术。
1.氧化铝厚度对电性能的影响？PID、LeTID有没有影响？
氧化铝厚度对PID、LeTID没有影响，如果做双面氧化铝对PID的影响比较大
2.ALD氧化铝如何解决绕镀
目前ALD分两种，以板式和管式为主。板式，硅片平铺在载板上，绕镀可以控制在0.5mm以内。管式，一种是单插双镀，两边同时镀膜解决绕镀问题，镀双面会有比较大的隐患，正面氧化铝与扩散PN结成反型，起负电场的作用，对PID有比较大影响，对于正负1500V击穿测试过不了；另一种双插单镀，以硅片背靠背形式插片解决，
3.双面氧化铝对正面的影响
正面常规结构主要是氮化硅薄膜，浆料以烧穿氮化硅为主，如果有额外的氧化铝，表面负电场与PN结反型，对折射率是有益处，但对浆料的烧穿体系来说没有益处，另外再加上对PID的影响，对正面的影响比较大
4.氧化铝钝化在n型硅的前景
对于P型电池是背面钝化，对于N型，同样可以起到钝化效果，但是是正面钝化，ALD优势在镀膜质量高、均匀性好，可以做到更薄，N型量产电池厂家主要选ALD作氧化铝钝化。
5.双面氧化铝的话对浆料的要求
常规浆料以烧穿氮化硅为目的，对于氧化铝膜，需要在玻璃粉方面要作调整，刚开始调试阶段的主要问题是拉力不足，没有烧穿氧化铝，没有与硅片形成良好的欧姆接触
6.氧化铝沉积方式对Tma消耗的差异
沉积方式以PECVD和ALD为主，PECVD反应的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大约4mg/片，而PECVD的耗量则为ALD的两倍。
7.双面氧化铝改单面氧化铝存在的问题及解决办法
主要在管式ALD上改，主要问题在花篮的槽距，如果槽距过大反镀会比较严重，如果槽距过小则会有划伤情况，需要实际调整。
8.氧化铝设备单边发黑的处理
氧化铝边缘发黑，成膜均匀性在初期有些问题，或者自动化设备在上下料时有异常发生，正常生产是不会有单边发黑的情况。
9.单面PID解决办法？双面怎么保证双面PID
对于PID，正面以热氧为主，提升效率同时解决PID问题；背面使用渐进膜或类似生成氧化硅的薄膜来解决PID问题。双面PID与单面类似，正面以氧化退火为主，背面以氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象
10.碱抛机台提效方案。
碱抛可以提升效率，降低化学品耗量，减轻环保压力，带来1分钱/片收益，但提效对SE来说不够明显，还需优化，
11.退火温度与退火时间对氧化铝钝化性能的影响？氧化铝与氮化硅的氢钝化，哪个起主导作用？氢钝化机理、氢的传输过程是什么？
以ALD来说，退火温度，膜越薄退火温度越高，主要由生成膜的质量和成膜特性决定，ALD与CVD对退火要求不同
ALD氧化铝退火机理，采用水作为氧源，含氢氧键，钝化表面悬挂键，降低界面态密度，大大增加固定负电荷的能力，起到场钝化的作用
12.ALD氧化铝的前驱体氧源是水和臭氧有什么区别
对效率没有影响，主要是工业对成本、稳定性、控制性方面的考虑，水更符合大规模应用
14.对PERC技术最大挑战的技术路线是什么？
从技术讲HIT，IBC、TOPCon等比较有优势，但都不具备成本竞争力
15 perc电池如何叠加非晶硅技术，目前效率如何
目前没有PERC叠加非晶硅的技术，钙钛矿方面目前有新的进展
16.perc未来的提效方向在哪里
大规模生产，提高良率，降低成本
19.单面SE玛雅PERC产品低效片静置会出现气泡发黑，效率跳档严重，重烧后效率有所提升，EL有改善，但静置后会复原，如何改善
怀疑点：氧化铝厚度不均匀，局部异常导致，烧结过烧，光注入或电注入的条件需要优化
20.制绒良率提升，碱抛的优势
制绒良率的提升主要以添加剂为主，其次是设备控制精度，从早期的慢速制绒添加剂到现在的快速制绒添加剂；碱抛优势：背面较高反射率降低表面复合，提高少子寿命
21. 板P，管P，ALD，三种工艺制备的AlOx薄膜最适厚度区间各是多少，退火温度有没有区别，为什么？
板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，3-8nm。退火温度达不到，会造成片子整体发黑，效率降低导致降档
22.perc电池，氧化铝膜层在高温烧结时会出现小气泡，原理是什么，应该怎样解决？
成膜时氢氧键过多，在反应时水过量，退火时氢氧散逸或退火不充分造成
23.通过酸背抛提高反射率到40%与碱背抛效率那個有优势
不管酸抛还是碱抛，反射率到40%效率差异不大，主要从化学品耗量考虑，如果用酸抛需要用到大量化学品，处理成本也高
24.双面电池目前在组件端，只有用POE封装才能通过抗PID测试，用EVA封装抗PID测试失效，如何解决双面电池抗PID问题？
背面引入氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象，同时正面避免额外的氧化铝干扰
25.用maia和微导，理想等设备生产PERC电池和常规电池比增加背面工艺的成本分别是多少？
目前maia在开机率和TMA耗量上比ALD高，ALD含折旧成本在0.11元/片左右
27. ALD氧化铝绕镀与烧结的匹配性，有没有定论？
氧化铝绕镀会造成正面氧化铝不均匀，厚度不同对浆料要求不同，导致部分区域过烧或欠烧，造成接触不好。
28.如何提高酸背抛背面反射率，背面反射率是不是越高越好，对比了很多公司，背面反射率相差很大啊。每次停机久了，就有很多el水痕印，如何改善。酸背抛碱槽及酸槽浓度或者导电度一般控制在多少啊？
反射率主要看前后道工序匹配；el水痕印主要在开机后跑假片解决
29.Perc+SE氧化铝厚度与少子寿命对效率的影响，关键性？单根管氧化铝的不均匀度管控在多少
关系见PPT；管内不均匀性，对电池效率影响不大
30.ALD氧化铝对比其他机台优势在哪，效率有增益原理说明及管P是否有调整优化空间？
ALD在成膜质量、TMA耗量、开机率方面有优势；管P，通过提前开启PLASMA增强升温速率提升单机产能
31. SE电阻与PERC效率之间的关系？SE叠加PERC后需要注意最重要的工艺参数？PERC叠加SE采用哪种SE方式比较合适？为什么？
SE技术出现比较早，包括化学、二次扩散等，目前激光综合性能是最高的。后续由于PERC电池开压的提升，SE叠加PERC会有0.2-0.3%的提升。
32.除了目前火爆的PERC，后续还有什么技术路线值得关注？各有什么特点？
目前，n-TOPCon可以与现有产线兼容，是设备升级厂家关注点，HIT由于设备投资比较大，是新建厂关注点
34.SE对扩散结的要求以及方阻下降值多少合适如何确定
根据之前Schmid机台做化学SE经验，碱处理会导致方阻升高，碱处理后的方阻，与浆料匹配，来达到良好的接触
35.SE 技术还有哪些提效空间。
早期浆料的效果超越了SE，后面由于PERC的出现，形成1+1>2的效果，SE成为了标配，但由于本轮PERC电池的下跌，对其他电池的挤出作用会更加明显。
36. PERC电池技术路线
高方阻密栅，不管是常规电池还是PERC电池都适用，包括SE方式，主栅从3BB、4BB、5BB到MBB，都是这种方式。
来源：光伏技术共享交流
今日科普：☞☞异质结是目前结构最简单、制程工艺最少，良率最易控制，未来降本潜力最大的电池技术。
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