TOPCon:实现了无需开孔的钝化接触,未来可升级POLO结构,双面TOPCon理论极限可达28.7%。 HJT:晶体硅/非晶硅异质结形成PN结,在晶体硅与非晶硅之间镀制有本征非晶硅钝化膜,理论极限可达28.5%。 IBC:电极放在背面减少光照遮挡损失,并且使用隧穿氧化层做电子传输,未来可叠加TOPCon或HJT技术,叠加后效率上限可达29.1%。
分路线:TOPCon靠降银耗、薄片化;HJT靠低温银浆国产化、降银耗、薄片化、设备降本;IBC靠掩膜工艺优化、薄片化、设备降本。 敏感性分析:效率、良率、CTM每提升1pct,分别可降本14、1、3分,硅片减薄10μ,降本4分,预计23年新电池技术经济性将全面超越PERC。
TOPCon:已有29GW在产,22年规划超40GW,龙头量产平均效率24.5%。 HJT:已有5GW在产,22年规划超9GW,龙头量产平均效率24.5%。 IBC:已有0.2GW在产,22年规划超8.5GW,龙头量产平均效率24%。
设备:单面焊接,或采用新的串焊机。 材料:IBC电极位置变化需降低应力,或采用低温导电胶或导电背板的封装方式。
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