先进电池进步的思路与方向
TOPCon：主要缺口来自前表面
对于 TOPCon 电池来说，基于 24.8%的电池转换效率，主要影响效率的因素由 大到小：1. 正面复合损失，2. 光学损失，3. 正面传输损失，4. 体复合损失，5. 背面传 输损失，6. 背面复合损失。由此可见，TOPCon 电池目前的主要效率缺口来自前表面。原因在于：
1）TOPCon 电池背表面由 SiO2、poly 硅层组成钝化接触结构，而前表面仅由 Al2O3层钝化，使用烧穿型浆料，仍存在金属-硅基体直接接触；
2）由于硼扩掺杂浓度低，为了实现更好的接触，正面细栅从银浆转变为银铝浆。为达到同样的导电效果，栅线宽度大于银浆。
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为了解决 TOPCon 电池正表面的效率损失，终极方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的钝化接触结构。但P型TOPCon层的钝化能力本身就弱于N型TOPCon层， 且前表面多晶硅会造成强烈的光学吸收。因此，目前多考虑局部 poly 层，即在正表面电极下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但应用层面难度较大。
根据拉普拉斯对 TOPCon 电池效率提升的路线图，正面 poly 结构（local/full） 适用于 26.5%的效率平台。而在当前 25%的效率基础上，可以通过无损 SE 技术、薄 poly 等优化工艺将 TOPCon 电池效率提升至 26%。基于硼扩的技术难度，在硼扩的基础上做出 SE 相较磷扩 SE 难度更大，目前主 要发展出一次硼扩和二次硼扩两种技术路线。
5.2、 HJT：完美钝化，主要缺口来自光学损失
与 TOPCon 电池相比，HJT 电池在正表面、背面均实现了钝化接触，因此获得 了较高的开路电压（接近 750mV），明显高于 TOPCon 电池和 PERC 电池。但正表面的非晶硅层作为一种半导体，存在较为严重的寄生吸收，造成 HJT 电 池在短路电流方面并不占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系数更 小，且具有更高的电导率，在缓解正表面寄生吸收的同时，降低了对 ITO 导电 性的依赖。
从工艺上来讲，微晶的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率，即更高比例的氢 气，从而提高硅薄膜的晶化率。但稀释率的提高通常伴随着沉积速率的下降，引入 VHF 电源以代替传统的 RF 电源，有助于提高微晶薄膜沉积速率。
根据迈为股份数据，采用 VHF 电源，镀 膜速率较 RF 电源提升 2 倍，氢气用量较 RF 电源降低 70%左右，效率较 RF 电 源提升 0.3%以上。原因在于，频率增加后，等离子体电子浓度增加，可以产生更多的自由基元，从 而提高微晶薄膜沉积速率。同时等离子体能量降低，有助于降低表面损伤。
关键假设：2022 年全球新增光伏装机 230GW，我们预测 2023-25年全球新增光伏装机350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，组件需求量为 438、538、625GW。
按 照 55%的产能利用率，则组件产能分别达到 795、977、1136GW。根据已规划项目的进展情况，我们预测 TOPCon 产能进入快速发展期，2023-25 年新增产能分别为 200、250、280 GW，HJT 需进一步实现设备、产业链降本， 2023-25 年新增产能分别为 32、54、100GW。从而带动 TOPCon 产能在 2023-25 年达到 260、510、790 GW，HJT 产能在 2023-25 年达到 46、100、200GW。
在整体的电池产出中，预计2023-25年TOPCon产出占比为20%、35%、43.5%， HJT 产出占比为 5%、10%、12%，则 2023-25 年 TOPCon 电池产出为 88、188、 272GW，HJT 产出为 22、54、75GW。
随着国产化率提高和单线产能提升，预计设备降本持续进行，假设 2023-25 年 HJT 整线设备价格为 3.3/2.9/2.5 亿元/GW，TOPCon 整线设备价格为 1.9 /1.7/1.5 亿元/GW。TOPCon设备中，SE 能够有效提升转换效率，随着该项技术趋于成熟，预计将从2023年开始实现规模化量产，假设23-25年硼扩SE渗透率为70% /80%/90%， 硼扩 SE 设备单价为 1000/800/800 万元/GW。则 2023-25 年，HJT 设备市场空间为 102.6、155.5、250.0 亿元；其中 PECVD 设备市场空间为 51.5、77.8、125.0 亿元。
TOPCon 设备市场空间为 370.0、420.0、420.0 亿元，其中 LPCVD/PECVD 等 镀膜设备市场空间为 100.0、112.5、112.0 亿元，硼扩设备市场空间为 44.0、 52.5、56.0 亿元，激光 SE 设备市场空间为 14.0、16.0、20.2 亿元。
来源：电力电子研究院
TOPCon：主要缺口来自前表面
对于 TOPCon 电池来说，基于 24.8%的电池转换效率，主要影响效率的因素由 大到小：1. 正面复合损失，2. 光学损失，3. 正面传输损失，4. 体复合损失，5. 背面传 输损失，6. 背面复合损失。由此可见，TOPCon 电池目前的主要效率缺口来自前表面。原因在于：
1）TOPCon 电池背表面由 SiO2、poly 硅层组成钝化接触结构，而前表面仅由 Al2O3层钝化，使用烧穿型浆料，仍存在金属-硅基体直接接触；
2）由于硼扩掺杂浓度低，为了实现更好的接触，正面细栅从银浆转变为银铝浆。为达到同样的导电效果，栅线宽度大于银浆。
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为了解决 TOPCon 电池正表面的效率损失，终极方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的钝化接触结构。但P型TOPCon层的钝化能力本身就弱于N型TOPCon层， 且前表面多晶硅会造成强烈的光学吸收。因此，目前多考虑局部 poly 层，即在正表面电极下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但应用层面难度较大。
根据拉普拉斯对 TOPCon 电池效率提升的路线图，正面 poly 结构（local/full） 适用于 26.5%的效率平台。而在当前 25%的效率基础上，可以通过无损 SE 技术、薄 poly 等优化工艺将 TOPCon 电池效率提升至 26%。基于硼扩的技术难度，在硼扩的基础上做出 SE 相较磷扩 SE 难度更大，目前主 要发展出一次硼扩和二次硼扩两种技术路线。
5.2、 HJT：完美钝化，主要缺口来自光学损失
与 TOPCon 电池相比，HJT 电池在正表面、背面均实现了钝化接触，因此获得 了较高的开路电压（接近 750mV），明显高于 TOPCon 电池和 PERC 电池。但正表面的非晶硅层作为一种半导体，存在较为严重的寄生吸收，造成 HJT 电 池在短路电流方面并不占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系数更 小，且具有更高的电导率，在缓解正表面寄生吸收的同时，降低了对 ITO 导电 性的依赖。
从工艺上来讲，微晶的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率，即更高比例的氢 气，从而提高硅薄膜的晶化率。但稀释率的提高通常伴随着沉积速率的下降，引入 VHF 电源以代替传统的 RF 电源，有助于提高微晶薄膜沉积速率。
根据迈为股份数据，采用 VHF 电源，镀 膜速率较 RF 电源提升 2 倍，氢气用量较 RF 电源降低 70%左右，效率较 RF 电 源提升 0.3%以上。原因在于，频率增加后，等离子体电子浓度增加，可以产生更多的自由基元，从 而提高微晶薄膜沉积速率。同时等离子体能量降低，有助于降低表面损伤。
关键假设：2022 年全球新增光伏装机 230GW，我们预测 2023-25年全球新增光伏装机350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，组件需求量为 438、538、625GW。
按 照 55%的产能利用率，则组件产能分别达到 795、977、1136GW。根据已规划项目的进展情况，我们预测 TOPCon 产能进入快速发展期，2023-25 年新增产能分别为 200、250、280 GW，HJT 需进一步实现设备、产业链降本， 2023-25 年新增产能分别为 32、54、100GW。从而带动 TOPCon 产能在 2023-25 年达到 260、510、790 GW，HJT 产能在 2023-25 年达到 46、100、200GW。
在整体的电池产出中，预计2023-25年TOPCon产出占比为20%、35%、43.5%， HJT 产出占比为 5%、10%、12%，则 2023-25 年 TOPCon 电池产出为 88、188、 272GW，HJT 产出为 22、54、75GW。
随着国产化率提高和单线产能提升，预计设备降本持续进行，假设 2023-25 年 HJT 整线设备价格为 3.3/2.9/2.5 亿元/GW，TOPCon 整线设备价格为 1.9 /1.7/1.5 亿元/GW。TOPCon设备中，SE 能够有效提升转换效率，随着该项技术趋于成熟，预计将从2023年开始实现规模化量产，假设23-25年硼扩SE渗透率为70% /80%/90%， 硼扩 SE 设备单价为 1000/800/800 万元/GW。则 2023-25 年，HJT 设备市场空间为 102.6、155.5、250.0 亿元；其中 PECVD 设备市场空间为 51.5、77.8、125.0 亿元。
TOPCon 设备市场空间为 370.0、420.0、420.0 亿元，其中 LPCVD/PECVD 等 镀膜设备市场空间为 100.0、112.5、112.0 亿元，硼扩设备市场空间为 44.0、 52.5、56.0 亿元，激光 SE 设备市场空间为 14.0、16.0、20.2 亿元。
来源：电力电子研究院
TOPCon：主要缺口来自前表面
对于 TOPCon 电池来说，基于 24.8%的电池转换效率，主要影响效率的因素由 大到小：1. 正面复合损失，2. 光学损失，3. 正面传输损失，4. 体复合损失，5. 背面传 输损失，6. 背面复合损失。由此可见，TOPCon 电池目前的主要效率缺口来自前表面。原因在于：
1）TOPCon 电池背表面由 SiO2、poly 硅层组成钝化接触结构，而前表面仅由 Al2O3层钝化，使用烧穿型浆料，仍存在金属-硅基体直接接触；
2）由于硼扩掺杂浓度低，为了实现更好的接触，正面细栅从银浆转变为银铝浆。为达到同样的导电效果，栅线宽度大于银浆。
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为了解决 TOPCon 电池正表面的效率损失，终极方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的钝化接触结构。但P型TOPCon层的钝化能力本身就弱于N型TOPCon层， 且前表面多晶硅会造成强烈的光学吸收。因此，目前多考虑局部 poly 层，即在正表面电极下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但应用层面难度较大。
根据拉普拉斯对 TOPCon 电池效率提升的路线图，正面 poly 结构（local/full） 适用于 26.5%的效率平台。而在当前 25%的效率基础上，可以通过无损 SE 技术、薄 poly 等优化工艺将 TOPCon 电池效率提升至 26%。基于硼扩的技术难度，在硼扩的基础上做出 SE 相较磷扩 SE 难度更大，目前主 要发展出一次硼扩和二次硼扩两种技术路线。
5.2、 HJT：完美钝化，主要缺口来自光学损失
与 TOPCon 电池相比，HJT 电池在正表面、背面均实现了钝化接触，因此获得 了较高的开路电压（接近 750mV），明显高于 TOPCon 电池和 PERC 电池。但正表面的非晶硅层作为一种半导体，存在较为严重的寄生吸收，造成 HJT 电 池在短路电流方面并不占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系数更 小，且具有更高的电导率，在缓解正表面寄生吸收的同时，降低了对 ITO 导电 性的依赖。
从工艺上来讲，微晶的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率，即更高比例的氢 气，从而提高硅薄膜的晶化率。但稀释率的提高通常伴随着沉积速率的下降，引入 VHF 电源以代替传统的 RF 电源，有助于提高微晶薄膜沉积速率。
根据迈为股份数据，采用 VHF 电源，镀 膜速率较 RF 电源提升 2 倍，氢气用量较 RF 电源降低 70%左右，效率较 RF 电 源提升 0.3%以上。原因在于，频率增加后，等离子体电子浓度增加，可以产生更多的自由基元，从 而提高微晶薄膜沉积速率。同时等离子体能量降低，有助于降低表面损伤。
关键假设：2022 年全球新增光伏装机 230GW，我们预测 2023-25年全球新增光伏装机350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，组件需求量为 438、538、625GW。
按 照 55%的产能利用率，则组件产能分别达到 795、977、1136GW。根据已规划项目的进展情况，我们预测 TOPCon 产能进入快速发展期，2023-25 年新增产能分别为 200、250、280 GW，HJT 需进一步实现设备、产业链降本， 2023-25 年新增产能分别为 32、54、100GW。从而带动 TOPCon 产能在 2023-25 年达到 260、510、790 GW，HJT 产能在 2023-25 年达到 46、100、200GW。
在整体的电池产出中，预计2023-25年TOPCon产出占比为20%、35%、43.5%， HJT 产出占比为 5%、10%、12%，则 2023-25 年 TOPCon 电池产出为 88、188、 272GW，HJT 产出为 22、54、75GW。
随着国产化率提高和单线产能提升，预计设备降本持续进行，假设 2023-25 年 HJT 整线设备价格为 3.3/2.9/2.5 亿元/GW，TOPCon 整线设备价格为 1.9 /1.7/1.5 亿元/GW。TOPCon设备中，SE 能够有效提升转换效率，随着该项技术趋于成熟，预计将从2023年开始实现规模化量产，假设23-25年硼扩SE渗透率为70% /80%/90%， 硼扩 SE 设备单价为 1000/800/800 万元/GW。则 2023-25 年，HJT 设备市场空间为 102.6、155.5、250.0 亿元；其中 PECVD 设备市场空间为 51.5、77.8、125.0 亿元。
TOPCon 设备市场空间为 370.0、420.0、420.0 亿元，其中 LPCVD/PECVD 等 镀膜设备市场空间为 100.0、112.5、112.0 亿元，硼扩设备市场空间为 44.0、 52.5、56.0 亿元，激光 SE 设备市场空间为 14.0、16.0、20.2 亿元。
来源：电力电子研究院
TOPCon：主要缺口来自前表面
对于 TOPCon 电池来说，基于 24.8%的电池转换效率，主要影响效率的因素由 大到小：1. 正面复合损失，2. 光学损失，3. 正面传输损失，4. 体复合损失，5. 背面传 输损失，6. 背面复合损失。由此可见，TOPCon 电池目前的主要效率缺口来自前表面。原因在于：
1）TOPCon 电池背表面由 SiO2、poly 硅层组成钝化接触结构，而前表面仅由 Al2O3层钝化，使用烧穿型浆料，仍存在金属-硅基体直接接触；
2）由于硼扩掺杂浓度低，为了实现更好的接触，正面细栅从银浆转变为银铝浆。为达到同样的导电效果，栅线宽度大于银浆。
为了解决 TOPCon 电池正表面的效率损失，终极方案是在正面也做成 SiO2+poly 硅的钝化接触结构。但P型TOPCon层的钝化能力本身就弱于N型TOPCon层， 且前表面多晶硅会造成强烈的光学吸收。因此，目前多考虑局部 poly 层，即在正表面电极下方做一小部分 SiO2+poly 硅， 但应用层面难度较大。
根据拉普拉斯对 TOPCon 电池效率提升的路线图，正面 poly 结构（local/full） 适用于 26.5%的效率平台。而在当前 25%的效率基础上，可以通过无损 SE 技术、薄 poly 等优化工艺将 TOPCon 电池效率提升至 26%。基于硼扩的技术难度，在硼扩的基础上做出 SE 相较磷扩 SE 难度更大，目前主 要发展出一次硼扩和二次硼扩两种技术路线。
5.2、 HJT：完美钝化，主要缺口来自光学损失
与 TOPCon 电池相比，HJT 电池在正表面、背面均实现了钝化接触，因此获得 了较高的开路电压（接近 750mV），明显高于 TOPCon 电池和 PERC 电池。但正表面的非晶硅层作为一种半导体，存在较为严重的寄生吸收，造成 HJT 电 池在短路电流方面并不占优势。解决该问题的思路之一在于使用微晶硅代替非晶硅，原因在于微晶的吸光系数更 小，且具有更高的电导率，在缓解正表面寄生吸收的同时，降低了对 ITO 导电 性的依赖。
从工艺上来讲，微晶的形成需要改变通入硅烷与氢气的稀释率，即更高比例的氢 气，从而提高硅薄膜的晶化率。但稀释率的提高通常伴随着沉积速率的下降，引入 VHF 电源以代替传统的 RF 电源，有助于提高微晶薄膜沉积速率。
根据迈为股份数据，采用 VHF 电源，镀 膜速率较 RF 电源提升 2 倍，氢气用量较 RF 电源降低 70%左右，效率较 RF 电 源提升 0.3%以上。原因在于，频率增加后，等离子体电子浓度增加，可以产生更多的自由基元，从 而提高微晶薄膜沉积速率。同时等离子体能量降低，有助于降低表面损伤。
关键假设：2022 年全球新增光伏装机 230GW，我们预测 2023-25年全球新增光伏装机350、 430、500GW，按照 1.25 倍的容配比，组件需求量为 438、538、625GW。
按 照 55%的产能利用率，则组件产能分别达到 795、977、1136GW。根据已规划项目的进展情况，我们预测 TOPCon 产能进入快速发展期，2023-25 年新增产能分别为 200、250、280 GW，HJT 需进一步实现设备、产业链降本， 2023-25 年新增产能分别为 32、54、100GW。从而带动 TOPCon 产能在 2023-25 年达到 260、510、790 GW，HJT 产能在 2023-25 年达到 46、100、200GW。
在整体的电池产出中，预计2023-25年TOPCon产出占比为20%、35%、43.5%， HJT 产出占比为 5%、10%、12%，则 2023-25 年 TOPCon 电池产出为 88、188、 272GW，HJT 产出为 22、54、75GW。
随着国产化率提高和单线产能提升，预计设备降本持续进行，假设 2023-25 年 HJT 整线设备价格为 3.3/2.9/2.5 亿元/GW，TOPCon 整线设备价格为 1.9 /1.7/1.5 亿元/GW。TOPCon设备中，SE 能够有效提升转换效率，随着该项技术趋于成熟，预计将从2023年开始实现规模化量产，假设23-25年硼扩SE渗透率为70% /80%/90%， 硼扩 SE 设备单价为 1000/800/800 万元/GW。则 2023-25 年，HJT 设备市场空间为 102.6、155.5、250.0 亿元；其中 PECVD 设备市场空间为 51.5、77.8、125.0 亿元。
TOPCon 设备市场空间为 370.0、420.0、420.0 亿元，其中 LPCVD/PECVD 等 镀膜设备市场空间为 100.0、112.5、112.0 亿元，硼扩设备市场空间为 44.0、 52.5、56.0 亿元，激光 SE 设备市场空间为 14.0、16.0、20.2 亿元。
来源：电力电子研究院
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