如何把握2023年钙钛矿电池投资方向？
从投资方向来看，我们建议重点关注钙钛矿相比晶硅带来的增量市场和流程变化：吸光材料由晶硅变为钙钛矿，会省去晶硅产业链上游硅料、硅片、以及中游电池到组件的串焊环节，投资机会集中于保留下来的电池制备、组件封装两大环节。
1. 投资考量：重要性+确定性两条主线
设备：钙钛矿层为主要核心工序，激光设备为主要确定工序
根据产业链调研，目前100兆瓦钙钛矿产线的投资额约为1.2-1.5亿元不等。其中，以一个典型平面反式结构为例，设备用量和格局为：
一台涂布机：用于钙钛矿层制备，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为上海德沪和日本东丽等。
两台PVD磁控溅射设备：空穴传输层、背电极各一台，价值量合计2000万元，价值量占比~17%；目前市场主要供应商为京山轻机、德国莱宝、梅耶博格、湖南红太阳等。
一台RPD反应等离子沉积设备：电子传输层一台，价值量合计2000万元，价值量占比17%；目前市场主要供应商为捷佳伟创、韩国SNTEK等。
四台激光设备：P1-P2-P3三道激光划线各一台，P4一道激光清边需一台，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为大族激光、德龙激光、杰普特、迈为股份、帝尔股份等。
图表1：典型100MW钙钛矿中试线设备投资额分布
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图表2：钙钛矿头部公司产线进展（截至2022年12月） ![]()
资料来源：公司公告，中金公司研究部
从投资角度来看，当前沿重要性+确定性两条主线寻找机会，未来关注钝化层、传输层需求变化。
重要性角度，钙钛矿核心层制备的质量（如厚度、一致性等）对最终组件的生产效率和转换效率起到决定性影响。目前钙钛矿层主流使用狭缝涂布的方式，优点是成本低、设备兼容度高、原料利用率高，但大面积均匀性不易控制、对基底平整度要求高。
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真空镀膜是在大面积均匀性、基底平整度要求等方面有优势的竞争技术路线，但目前面临料利用率较低、成本高、生产速度慢、设备兼容度低等待解决的问题。由于产业仍在0到1阶段，从投资人角度来看设备选型尚未定型，围绕解决钙钛矿层制备痛点的狭缝涂布、真空镀膜设备均可能有表现机会。
确定性角度，与功能层设备不同，激光设备选型不受电池结构和材料体系影响，量的逻辑更为清晰。有别于第二代薄膜电池的无机体系，钙钛矿电池的有机体系对激光切割热损伤更为敏感，减少激光划线工序带来的效率损失也是部分头部钙钛矿公司近阶段工作重心之一。
为帮助钙钛矿组件提效，一方面，激光设备商需要保证激光输出的稳定性，提升激光划线的质量、减少短路点；另一方面，激光设备商需要提升激光设备精度（P1/P4纳秒级，P2/P3皮秒级），将激光划线做窄，提高有效受光发电面积。因此，激光设备是确定性高、存一定壁垒的环节。
未来增量角度，一方面，GW级时代关注提升钙钛矿稳定性所需的增量功能层（钝化层、保护层）可能带来的设备需求。界面修饰/界面钝化可以有效减少界面处缺陷复合带来的效率损失，提高转换效率，增强结构稳定性。当前，企业多数将钝化剂掺在钙钛矿前驱体溶剂中，在钙钛矿层中添加钝化功能。
未来在GW级产线上为提升钝化效果，钝化层或独立为两个功能层，引入两台增量设备需求。根据不同的钝化层材料方案，初步来看大面积选用涂布机制备钝化层；若用盐类材料做修饰层则可能选用蒸镀设备；若用金属氧化物则可能选用RPD或者ALD设备。
另一方面，传输层真空镀膜路线亦有诸多变种。背电极有PVD/蒸镀两种选择；空穴层采用PVD较为主流；电子层采用PVD/RPD/热蒸镀方案均有，核心诉求是减少电子层制备对于基底钙钛矿层的损伤。
2. 辅材：聚焦导电性、阻水性两大新需求
对于钙钛矿产业链辅材环节的投资机会，我们认为核心也是把握钙钛矿较晶硅的变化之处，我们认为核心在于两大方面：1）导电方式；2）阻水要求，这两个方向的变化有望带来增量的辅材需求。
导电方式的变化带来TCO导电玻璃、透明背电极增量需求。晶硅电池使用双面导电银浆来实现金属化制程，但由于银会跟钙钛矿材料中的卤化离子反应氧化发黑，所以钙钛矿导电电极材料不再使用晶硅电池中常用的银浆，而是用正面TCO导电玻璃+背面透明金属氧化物背电极代替，由此催生出对于TCO导电玻璃和ITO靶材的增量需求。
封装稳定性要求的提高带来丁基胶，POE粒子胶膜增量需求。与晶硅相比，钙钛矿的化学不稳定性（遇外部水汽易分解）和物理不稳定性（遇光照内部易离子迁移）都更高，提高对于通过封装环节提升稳定性的要求，趋势上钙钛矿时代的封装工艺严格程度、重要性有所提升。由此，封装稳定性要求的提高带来POE胶膜、丁基胶两大封装材料的增量需求。其中：
POE胶膜在晶硅N型组件时代已有使用，在钙钛矿时代将从晶硅时代的选配（需求占比20-30%）成为标配（需求占比100%，由于EVA胶膜长时间运行老化产生的小分子酸会破坏钙钛矿，钙钛矿仅可使用POE胶膜封装），国内各大胶膜厂均有相关技术储备。
丁基胶为钙钛矿时代的新品种，在晶硅时代仅部分银包铜组件对丁基胶使用有所涉及，具备阻水性、低温性、气密性、热稳定性、绝缘性、化学稳定性六大优势。当前，进口丁基胶为供给主力，国内厂商在耐候性上还需继续突破。
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图表3：钙钛矿产业链图谱（电池制造，组件封装，设备）
从投资方向来看，我们建议重点关注钙钛矿相比晶硅带来的增量市场和流程变化：吸光材料由晶硅变为钙钛矿，会省去晶硅产业链上游硅料、硅片、以及中游电池到组件的串焊环节，投资机会集中于保留下来的电池制备、组件封装两大环节。
1. 投资考量：重要性+确定性两条主线
设备：钙钛矿层为主要核心工序，激光设备为主要确定工序
根据产业链调研，目前100兆瓦钙钛矿产线的投资额约为1.2-1.5亿元不等。其中，以一个典型平面反式结构为例，设备用量和格局为：
一台涂布机：用于钙钛矿层制备，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为上海德沪和日本东丽等。
两台PVD磁控溅射设备：空穴传输层、背电极各一台，价值量合计2000万元，价值量占比~17%；目前市场主要供应商为京山轻机、德国莱宝、梅耶博格、湖南红太阳等。
一台RPD反应等离子沉积设备：电子传输层一台，价值量合计2000万元，价值量占比17%；目前市场主要供应商为捷佳伟创、韩国SNTEK等。
四台激光设备：P1-P2-P3三道激光划线各一台，P4一道激光清边需一台，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为大族激光、德龙激光、杰普特、迈为股份、帝尔股份等。
图表1：典型100MW钙钛矿中试线设备投资额分布
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图表2：钙钛矿头部公司产线进展（截至2022年12月） ![]()
资料来源：公司公告，中金公司研究部
从投资角度来看，当前沿重要性+确定性两条主线寻找机会，未来关注钝化层、传输层需求变化。
重要性角度，钙钛矿核心层制备的质量（如厚度、一致性等）对最终组件的生产效率和转换效率起到决定性影响。目前钙钛矿层主流使用狭缝涂布的方式，优点是成本低、设备兼容度高、原料利用率高，但大面积均匀性不易控制、对基底平整度要求高。
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真空镀膜是在大面积均匀性、基底平整度要求等方面有优势的竞争技术路线，但目前面临料利用率较低、成本高、生产速度慢、设备兼容度低等待解决的问题。由于产业仍在0到1阶段，从投资人角度来看设备选型尚未定型，围绕解决钙钛矿层制备痛点的狭缝涂布、真空镀膜设备均可能有表现机会。
确定性角度，与功能层设备不同，激光设备选型不受电池结构和材料体系影响，量的逻辑更为清晰。有别于第二代薄膜电池的无机体系，钙钛矿电池的有机体系对激光切割热损伤更为敏感，减少激光划线工序带来的效率损失也是部分头部钙钛矿公司近阶段工作重心之一。
为帮助钙钛矿组件提效，一方面，激光设备商需要保证激光输出的稳定性，提升激光划线的质量、减少短路点；另一方面，激光设备商需要提升激光设备精度（P1/P4纳秒级，P2/P3皮秒级），将激光划线做窄，提高有效受光发电面积。因此，激光设备是确定性高、存一定壁垒的环节。
未来增量角度，一方面，GW级时代关注提升钙钛矿稳定性所需的增量功能层（钝化层、保护层）可能带来的设备需求。界面修饰/界面钝化可以有效减少界面处缺陷复合带来的效率损失，提高转换效率，增强结构稳定性。当前，企业多数将钝化剂掺在钙钛矿前驱体溶剂中，在钙钛矿层中添加钝化功能。
未来在GW级产线上为提升钝化效果，钝化层或独立为两个功能层，引入两台增量设备需求。根据不同的钝化层材料方案，初步来看大面积选用涂布机制备钝化层；若用盐类材料做修饰层则可能选用蒸镀设备；若用金属氧化物则可能选用RPD或者ALD设备。
另一方面，传输层真空镀膜路线亦有诸多变种。背电极有PVD/蒸镀两种选择；空穴层采用PVD较为主流；电子层采用PVD/RPD/热蒸镀方案均有，核心诉求是减少电子层制备对于基底钙钛矿层的损伤。
2. 辅材：聚焦导电性、阻水性两大新需求
对于钙钛矿产业链辅材环节的投资机会，我们认为核心也是把握钙钛矿较晶硅的变化之处，我们认为核心在于两大方面：1）导电方式；2）阻水要求，这两个方向的变化有望带来增量的辅材需求。
导电方式的变化带来TCO导电玻璃、透明背电极增量需求。晶硅电池使用双面导电银浆来实现金属化制程，但由于银会跟钙钛矿材料中的卤化离子反应氧化发黑，所以钙钛矿导电电极材料不再使用晶硅电池中常用的银浆，而是用正面TCO导电玻璃+背面透明金属氧化物背电极代替，由此催生出对于TCO导电玻璃和ITO靶材的增量需求。
封装稳定性要求的提高带来丁基胶，POE粒子胶膜增量需求。与晶硅相比，钙钛矿的化学不稳定性（遇外部水汽易分解）和物理不稳定性（遇光照内部易离子迁移）都更高，提高对于通过封装环节提升稳定性的要求，趋势上钙钛矿时代的封装工艺严格程度、重要性有所提升。由此，封装稳定性要求的提高带来POE胶膜、丁基胶两大封装材料的增量需求。其中：
POE胶膜在晶硅N型组件时代已有使用，在钙钛矿时代将从晶硅时代的选配（需求占比20-30%）成为标配（需求占比100%，由于EVA胶膜长时间运行老化产生的小分子酸会破坏钙钛矿，钙钛矿仅可使用POE胶膜封装），国内各大胶膜厂均有相关技术储备。
丁基胶为钙钛矿时代的新品种，在晶硅时代仅部分银包铜组件对丁基胶使用有所涉及，具备阻水性、低温性、气密性、热稳定性、绝缘性、化学稳定性六大优势。当前，进口丁基胶为供给主力，国内厂商在耐候性上还需继续突破。
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图表3：钙钛矿产业链图谱（电池制造，组件封装，设备）
从投资方向来看，我们建议重点关注钙钛矿相比晶硅带来的增量市场和流程变化：吸光材料由晶硅变为钙钛矿，会省去晶硅产业链上游硅料、硅片、以及中游电池到组件的串焊环节，投资机会集中于保留下来的电池制备、组件封装两大环节。
1. 投资考量：重要性+确定性两条主线
设备：钙钛矿层为主要核心工序，激光设备为主要确定工序
根据产业链调研，目前100兆瓦钙钛矿产线的投资额约为1.2-1.5亿元不等。其中，以一个典型平面反式结构为例，设备用量和格局为：
一台涂布机：用于钙钛矿层制备，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为上海德沪和日本东丽等。
两台PVD磁控溅射设备：空穴传输层、背电极各一台，价值量合计2000万元，价值量占比~17%；目前市场主要供应商为京山轻机、德国莱宝、梅耶博格、湖南红太阳等。
一台RPD反应等离子沉积设备：电子传输层一台，价值量合计2000万元，价值量占比17%；目前市场主要供应商为捷佳伟创、韩国SNTEK等。
四台激光设备：P1-P2-P3三道激光划线各一台，P4一道激光清边需一台，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为大族激光、德龙激光、杰普特、迈为股份、帝尔股份等。
图表1：典型100MW钙钛矿中试线设备投资额分布
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图表2：钙钛矿头部公司产线进展（截至2022年12月） ![]()
资料来源：公司公告，中金公司研究部
从投资角度来看，当前沿重要性+确定性两条主线寻找机会，未来关注钝化层、传输层需求变化。
重要性角度，钙钛矿核心层制备的质量（如厚度、一致性等）对最终组件的生产效率和转换效率起到决定性影响。目前钙钛矿层主流使用狭缝涂布的方式，优点是成本低、设备兼容度高、原料利用率高，但大面积均匀性不易控制、对基底平整度要求高。
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真空镀膜是在大面积均匀性、基底平整度要求等方面有优势的竞争技术路线，但目前面临料利用率较低、成本高、生产速度慢、设备兼容度低等待解决的问题。由于产业仍在0到1阶段，从投资人角度来看设备选型尚未定型，围绕解决钙钛矿层制备痛点的狭缝涂布、真空镀膜设备均可能有表现机会。
确定性角度，与功能层设备不同，激光设备选型不受电池结构和材料体系影响，量的逻辑更为清晰。有别于第二代薄膜电池的无机体系，钙钛矿电池的有机体系对激光切割热损伤更为敏感，减少激光划线工序带来的效率损失也是部分头部钙钛矿公司近阶段工作重心之一。
为帮助钙钛矿组件提效，一方面，激光设备商需要保证激光输出的稳定性，提升激光划线的质量、减少短路点；另一方面，激光设备商需要提升激光设备精度（P1/P4纳秒级，P2/P3皮秒级），将激光划线做窄，提高有效受光发电面积。因此，激光设备是确定性高、存一定壁垒的环节。
未来增量角度，一方面，GW级时代关注提升钙钛矿稳定性所需的增量功能层（钝化层、保护层）可能带来的设备需求。界面修饰/界面钝化可以有效减少界面处缺陷复合带来的效率损失，提高转换效率，增强结构稳定性。当前，企业多数将钝化剂掺在钙钛矿前驱体溶剂中，在钙钛矿层中添加钝化功能。
未来在GW级产线上为提升钝化效果，钝化层或独立为两个功能层，引入两台增量设备需求。根据不同的钝化层材料方案，初步来看大面积选用涂布机制备钝化层；若用盐类材料做修饰层则可能选用蒸镀设备；若用金属氧化物则可能选用RPD或者ALD设备。
另一方面，传输层真空镀膜路线亦有诸多变种。背电极有PVD/蒸镀两种选择；空穴层采用PVD较为主流；电子层采用PVD/RPD/热蒸镀方案均有，核心诉求是减少电子层制备对于基底钙钛矿层的损伤。
2. 辅材：聚焦导电性、阻水性两大新需求
对于钙钛矿产业链辅材环节的投资机会，我们认为核心也是把握钙钛矿较晶硅的变化之处，我们认为核心在于两大方面：1）导电方式；2）阻水要求，这两个方向的变化有望带来增量的辅材需求。
导电方式的变化带来TCO导电玻璃、透明背电极增量需求。晶硅电池使用双面导电银浆来实现金属化制程，但由于银会跟钙钛矿材料中的卤化离子反应氧化发黑，所以钙钛矿导电电极材料不再使用晶硅电池中常用的银浆，而是用正面TCO导电玻璃+背面透明金属氧化物背电极代替，由此催生出对于TCO导电玻璃和ITO靶材的增量需求。
封装稳定性要求的提高带来丁基胶，POE粒子胶膜增量需求。与晶硅相比，钙钛矿的化学不稳定性（遇外部水汽易分解）和物理不稳定性（遇光照内部易离子迁移）都更高，提高对于通过封装环节提升稳定性的要求，趋势上钙钛矿时代的封装工艺严格程度、重要性有所提升。由此，封装稳定性要求的提高带来POE胶膜、丁基胶两大封装材料的增量需求。其中：
POE胶膜在晶硅N型组件时代已有使用，在钙钛矿时代将从晶硅时代的选配（需求占比20-30%）成为标配（需求占比100%，由于EVA胶膜长时间运行老化产生的小分子酸会破坏钙钛矿，钙钛矿仅可使用POE胶膜封装），国内各大胶膜厂均有相关技术储备。
丁基胶为钙钛矿时代的新品种，在晶硅时代仅部分银包铜组件对丁基胶使用有所涉及，具备阻水性、低温性、气密性、热稳定性、绝缘性、化学稳定性六大优势。当前，进口丁基胶为供给主力，国内厂商在耐候性上还需继续突破。
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图表3：钙钛矿产业链图谱（电池制造，组件封装，设备）
从投资方向来看，我们建议重点关注钙钛矿相比晶硅带来的增量市场和流程变化：吸光材料由晶硅变为钙钛矿，会省去晶硅产业链上游硅料、硅片、以及中游电池到组件的串焊环节，投资机会集中于保留下来的电池制备、组件封装两大环节。
1. 投资考量：重要性+确定性两条主线
设备：钙钛矿层为主要核心工序，激光设备为主要确定工序
根据产业链调研，目前100兆瓦钙钛矿产线的投资额约为1.2-1.5亿元不等。其中，以一个典型平面反式结构为例，设备用量和格局为：
一台涂布机：用于钙钛矿层制备，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为上海德沪和日本东丽等。
两台PVD磁控溅射设备：空穴传输层、背电极各一台，价值量合计2000万元，价值量占比~17%；目前市场主要供应商为京山轻机、德国莱宝、梅耶博格、湖南红太阳等。
一台RPD反应等离子沉积设备：电子传输层一台，价值量合计2000万元，价值量占比17%；目前市场主要供应商为捷佳伟创、韩国SNTEK等。
四台激光设备：P1-P2-P3三道激光划线各一台，P4一道激光清边需一台，价值量合计1500万元，价值量占比~13%；目前市场主要供应商为大族激光、德龙激光、杰普特、迈为股份、帝尔股份等。
图表1：典型100MW钙钛矿中试线设备投资额分布
资料来源：公司公告，中金公司研究部
从投资角度来看，当前沿重要性+确定性两条主线寻找机会，未来关注钝化层、传输层需求变化。
重要性角度，钙钛矿核心层制备的质量（如厚度、一致性等）对最终组件的生产效率和转换效率起到决定性影响。目前钙钛矿层主流使用狭缝涂布的方式，优点是成本低、设备兼容度高、原料利用率高，但大面积均匀性不易控制、对基底平整度要求高。
真空镀膜是在大面积均匀性、基底平整度要求等方面有优势的竞争技术路线，但目前面临料利用率较低、成本高、生产速度慢、设备兼容度低等待解决的问题。由于产业仍在0到1阶段，从投资人角度来看设备选型尚未定型，围绕解决钙钛矿层制备痛点的狭缝涂布、真空镀膜设备均可能有表现机会。
确定性角度，与功能层设备不同，激光设备选型不受电池结构和材料体系影响，量的逻辑更为清晰。有别于第二代薄膜电池的无机体系，钙钛矿电池的有机体系对激光切割热损伤更为敏感，减少激光划线工序带来的效率损失也是部分头部钙钛矿公司近阶段工作重心之一。
为帮助钙钛矿组件提效，一方面，激光设备商需要保证激光输出的稳定性，提升激光划线的质量、减少短路点；另一方面，激光设备商需要提升激光设备精度（P1/P4纳秒级，P2/P3皮秒级），将激光划线做窄，提高有效受光发电面积。因此，激光设备是确定性高、存一定壁垒的环节。
未来增量角度，一方面，GW级时代关注提升钙钛矿稳定性所需的增量功能层（钝化层、保护层）可能带来的设备需求。界面修饰/界面钝化可以有效减少界面处缺陷复合带来的效率损失，提高转换效率，增强结构稳定性。当前，企业多数将钝化剂掺在钙钛矿前驱体溶剂中，在钙钛矿层中添加钝化功能。
未来在GW级产线上为提升钝化效果，钝化层或独立为两个功能层，引入两台增量设备需求。根据不同的钝化层材料方案，初步来看大面积选用涂布机制备钝化层；若用盐类材料做修饰层则可能选用蒸镀设备；若用金属氧化物则可能选用RPD或者ALD设备。
另一方面，传输层真空镀膜路线亦有诸多变种。背电极有PVD/蒸镀两种选择；空穴层采用PVD较为主流；电子层采用PVD/RPD/热蒸镀方案均有，核心诉求是减少电子层制备对于基底钙钛矿层的损伤。
2. 辅材：聚焦导电性、阻水性两大新需求
对于钙钛矿产业链辅材环节的投资机会，我们认为核心也是把握钙钛矿较晶硅的变化之处，我们认为核心在于两大方面：1）导电方式；2）阻水要求，这两个方向的变化有望带来增量的辅材需求。
导电方式的变化带来TCO导电玻璃、透明背电极增量需求。晶硅电池使用双面导电银浆来实现金属化制程，但由于银会跟钙钛矿材料中的卤化离子反应氧化发黑，所以钙钛矿导电电极材料不再使用晶硅电池中常用的银浆，而是用正面TCO导电玻璃+背面透明金属氧化物背电极代替，由此催生出对于TCO导电玻璃和ITO靶材的增量需求。
封装稳定性要求的提高带来丁基胶，POE粒子胶膜增量需求。与晶硅相比，钙钛矿的化学不稳定性（遇外部水汽易分解）和物理不稳定性（遇光照内部易离子迁移）都更高，提高对于通过封装环节提升稳定性的要求，趋势上钙钛矿时代的封装工艺严格程度、重要性有所提升。由此，封装稳定性要求的提高带来POE胶膜、丁基胶两大封装材料的增量需求。其中：
POE胶膜在晶硅N型组件时代已有使用，在钙钛矿时代将从晶硅时代的选配（需求占比20-30%）成为标配（需求占比100%，由于EVA胶膜长时间运行老化产生的小分子酸会破坏钙钛矿，钙钛矿仅可使用POE胶膜封装），国内各大胶膜厂均有相关技术储备。
丁基胶为钙钛矿时代的新品种，在晶硅时代仅部分银包铜组件对丁基胶使用有所涉及，具备阻水性、低温性、气密性、热稳定性、绝缘性、化学稳定性六大优势。当前，进口丁基胶为供给主力，国内厂商在耐候性上还需继续突破。
图表3：钙钛矿产业链图谱（电池制造，组件封装，设备）
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