光伏组件及电池片PID(电势差引发衰减) 的机理讨论

共同研讨。PID 一份简报 http://www1.eere.energy.gov/solar/pdfs/pvmrw2011_26_csi_richardson.pdf

目前还没有这方面的标准答案怎么才算是通过，或不通过。通常就是做PID之前，之后进行EL和IV测试，然后自己判断自己的组件在什么水平。

有谁了解PECVD设备加笑气改造 用来解决PID的相关问题

近几年的研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。这些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。国内已经有不少厂家自己测试通过了，晶奥拿到了PID证书

最近看了一些关于PID的资料。在系统层面上，消除PID效应的最直接的方法就是将逆变器直流侧接地。但是紧接着又提到现在的逆变器技术并不允许直流侧接地。除了在电池片，以及组件方面尽量避免外，在系统应用方面，消除PID的措施还是有待探索。
逆变器的直流侧能不能接地。无变压器的对直流、交流不能进行隔离，所以不能接地。带变压器的逆变器是可以接地的吗？

刚看了SNEC展会的主题报告，里面有几个关于PID的，还有一家公司做的题目是消除PID效应最简单的办法，光伏测试网和TUV-NORD举办的研讨会也会将PID相关的话题，期待中啊...