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多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

发布者: echo | 发布时间: 2013-4-19 11:39| 查看数: 1834| 评论数: 0

用等离子体化学气相沉积（PECVD）法，通过改变[SiH4:N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜，用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法（QSSPCD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、反射谱，测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率。研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能。

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