1、用途（高频光电导）

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有一个测量平面外，对样块

体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体

内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

2、设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ 光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶） 脉冲电流：5A～20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源

2.2、高频源

频率：30MHz 低输出阻抗 输出功率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：频带宽度不低于10MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥0.1Ω·㎝（欧姆·厘米），寿命值的测量范围：5～6000μｓ