HS-L1拥有国家发明专利(专利号: ZL 2003 1 0108310.7).采用微波反射光电导衰退发准确分析测量半导体硅材料的少子寿命，实现对于材料的质量合格检测，并对太阳能电池生产工艺进行有效的控制。
为了满足国内多晶硅市场发展的需要,上海赫爽于08年5月设计研发了新型的少子寿命分析仪.较旧歀的HS-L1,新型HS-L1更具有体积小,功耗低的特点.新HS-L1采用国际知名厂商作为激光器的供应商,保证了设备的稳定性和测试精度.
性能指标        参数
概况        测试仪型号        HS-L1
测试原理        微波反射光电导衰退法
测试范围        单片或者块状硅材料;
扩散形成P-N后的太阳电池(无金属电极)
测试仪的功能        测试相关材料的少数载流子寿命
测试精度        少子寿命        1us~1ms
电阻率范围        ≥0.1Ωcm
测试速度        ≤2 Seconds/point
测试不重复度        ≤±2%
环境要求        供电要求        220VAC±10%,20A,50HZ单相电
使用环境        25℃±10℃;相对湿度≤80％
标准配置        电脑(含主机,显示器,鼠键);微波源;激光电源;操作软件等