摘要：本文分别研究了多晶硅组件在开路、短路不同连接方式时，其初期的LID（光致衰减）性能，并对多晶硅组件负载状态下的早期LID性能也进行了探究。试验结果表明开路接线方式对组件LID影响较大。其主要原因是光生电流促使硼铁与氧原子复合，尤其在偏置电压的电场状态下加速了其复合反应的进行。
有关P型晶硅电池组件LID光致衰减的研究，早在1997年时已有报道称其与硼氧复合有关[1]。两个间隙氧原子形成O2i二聚体，O2i扩散很快，与Bs形成Bs-O2i复合体[2]。晶硅电池组件功率衰减大小与硅片中的硼氧浓度有关，光生载流或电流注入会导致硅片中的硼氧形成复合体[3]。晶体硅的光致衰减特性目前已有大量研究成果，但晶硅组件早期光致衰减特性的研究尚有很大的空间。目前随着光伏市场竞争的加剧，在组件制造商与购买方的互动中，业界普遍指定并承诺质保组件25年线性衰减，规定组件早期的衰减指标为第一年多晶一般衰减2.5%，单晶一般衰减3.0%。鉴于以上背景，我们对多晶硅组件进行了不同接线方式下，其LID性能及其成因分析的研究。1.2试验样品1.3实验设计 | 
