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接线方式对多晶硅组件光致衰减性能的影响

2015-3-26 15:54| 发布者: solartest| 查看: 15994| 评论: 0|来自: 中国光伏测试网

摘要: 本文分别研究了多晶硅组件在开路、短路不同连接方式时，其初期的LID（光致衰减）性能，并对多晶硅组件负载状态下的早期LID性能也进行了探究。试验结果表明开路接线方式对组件LID影响较大。其主要原因是光生电流促使 ...

L4（23）正交试验结束后，样品的电学性能参数测量值见表4。样品实验前后的功率比对及平行试验的衰减率比对趋势见图1。

表4 试验后样品电学性能参数信息

图1 样品实验前后功率及衰减率对比图

表5 正交试验结果比对

表6 正交分析

表7 室外组件LID长期跟踪比对

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