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接线方式对多晶硅组件光致衰减性能的影响

2015-3-26 15:54| 发布者: solartest| 查看: 16165| 评论: 0|来自: 中国光伏测试网

摘要: 本文分别研究了多晶硅组件在开路、短路不同连接方式时,其初期的LID(光致衰减)性能,并对多晶硅组件负载状态下的早期LID性能也进行了探究。试验结果表明开路接线方式对组件LID影响较大。其主要原因是光生电流促使 ...
       相同辐照累积量下,组件开路连接比短路连接方式光致衰减值高0.79%,线性规律性较差,表明硼氧等杂质复合后存在再分离的情况,但最终趋向稳定。开路电压、短路电流值降低,串联电阻值增加均会促使峰值功率衰减加剧,且其存在较好的对应关系,数据见表8。
表8
表8 ΔPm与ΔVoc、ΔIsc、ΔRs对应关系

       我们对功率衰减进行线性拟合后可知:开路连接时k=-4.01,短路连接时k=-3.50,由此表明开路连接方式下组件功率衰减大于短路连接方式,且衰减速度更快,见拟合图2。此次试验数据结果表明多晶硅样品组件已超过一般一年质保2.5%的衰减值。
图2
图2 多晶组件开路及短路长期LID线性规律比对

 机理分析:

       光伏电池组件接受光照后,内部电路运行可等效为由电源、并联电阻、串联电阻及二极管组成的回路电路,产生电流并对RL负载进行供电,示意图如图3。
图3
图3 光伏组件工作原理图
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