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接线方式对多晶硅组件光致衰减性能的影响

2015-3-26 15:54| 发布者: solartest| 查看: 15997| 评论: 0|来自: 中国光伏测试网

摘要: 本文分别研究了多晶硅组件在开路、短路不同连接方式时，其初期的LID（光致衰减）性能，并对多晶硅组件负载状态下的早期LID性能也进行了探究。试验结果表明开路接线方式对组件LID影响较大。其主要原因是光生电流促使 ...

上述结果类似于同行技术人员曾探讨的CID电致衰减模式[4]。在避光条件下，CID相对LID要小，衰减率在1%以内。当在开路状态下时LID综合两个方面的因素，加速组件中杂质的复合速率，但较长时间后，两者又趋势接近。太阳能电池具有二极管的特性，开路状态下其PN结变化机理，可参考百度网《二极管PN结原理》，其示意图如图5：

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当有偏置电压存在时，PN结的宽度缩短；而对于开路的电池组件来说，恰恰由于电池组件自身形成正向反偏电压，这对于硅片中缺陷的硼氧等杂质的快速扩散起到了促进作用。

表9 不同来料多晶硅电池组件LID比对

多晶硅电池组件在并网固定负载下，进行室外暴晒试验，验证其发电状态下的衰减趋势，收集数据如图6所示，阶段性结果为1.96%，长期持续跟踪。

图6 多晶156-60组件室外暴晒衰减曲线

图2曲线结果表明，多晶电池组件样品早期光衰值要比一般厂家承诺的衰减值稍高一些。如果来料的品质低，且在开路状态下进行早期的光致衰减后就会快速进行杂质复合反应。而图6曲线又表明，如果在负载下，即类似室外电站并网负荷运行的情况，部分多晶硅组件的功率衰减相对缓慢，早期光致衰减能保证理想的质量水平。

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