| 摘要：针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备（EL，PL，Corescan等），在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因，利用这些检测手段和分析结果，能够及时有效的反馈生产过程中产生的缺陷类型，有利于生产工艺的改进和质量的控制。 关键词：晶体硅太阳电池 缺陷 检测 分析 1、引言 在大规模应用和工业生产中，晶体太阳能电池占主导地位，其在制造过程中通常采用制绒、扩散、刻蚀、PECVD、印刷、烧结几道工序，由于一些机械应力、热应力及人为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片的光电转换效率，导致公司增加经济损失。利用多种测试设备如EL,PL、Corescan等检测硅片、半成品电池及成品电池存在的各种隐形缺陷，改善工艺参数，降低产品的不合格率，为公司提高成品率，大大的降低成本。 2、检测设备工作原理 2.1 光致发光（PL） PL是检测原材料的有效方法，如Fig.2-1所示，以大于半导体硅片禁带宽度的光作为激发手段，激发硅中的载流子，当撤去光源后，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，这一过程中会释放波长为1100nm的光子，光子被灵敏的CCD相机捕获，得到硅片的辐射复合图像。
2.2 电致发光（EL） EL与PL工作原理相似，但不同之处在于激发非平衡载流子的方式不同，即在电池的正向偏压下，注入非平衡载流子（Fig.2-2）。
2.3 微波光电导衰减法（u-PCD） u-PCD主要包括904nm的激光注入产生电子-空穴对（Fig.2-3a），导致样品的电导率增加，当撤去外界光注入时（Fig.2-3a），电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反应少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势得到载流子的寿命。
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