SHR测试探头在中心有一个激光源（Fig.2-4），紧跟着有两个同心圆环形电容电极，激光的频率可以调整。激光注入产生电子空穴，内建电场将电子空穴分离，将产生表面势，表面势反映了SHR信号并且横向扩散，内外探头获取表面势。硅片的方阻通过在两个电容电极测量电势的比率计算。

2.5 串联电阻扫描（Corescan）

       Corescan的扫描头包含一个光源和金属探针（Fig.2-5），扫描过程中，将电池片短路连接，扫描头以固定的扫描间距、速度移动，光源照射在电池片上产生光生电流，同时金属探针在电池片表面划动，测量光照位置的电压值，电压值即表征了电池片正面的串联电阻的大小。

3、结果与讨论

3.1 原材料缺陷

        原材料的优劣影响电池片的光电转换效率，有效的检测原材料的优劣，降低原材料的不合格率，能够直接减少经济损失。Fig.3-1所示为“黑芯片”的PL图片，在光照条件下，黑色区域存在大量的缺陷，它们起到复合中心作用，使得载流子在此处复合时发出较弱的光，而温场不均匀造成的位错或杂志氧沉淀导致黑芯片的产生，其电池片的电性能一般显示为Irev、Rs略高、Rsh较正常，Voc稍低，只是Isc明显偏小。

        Fig.3-2a为“四角黑”电池片的EL图片，腐蚀掉正背面电极、氧化硅、PN结后测试其少子寿命，如Fig.3-2c所示，从图中可看出，电池片黑角区域的寿命相对正常区域严重偏低，说明此处存在大量的缺陷，可能原因是硅棒在拉制过程中，外层有污染或有晶体缺陷产生，而导致硅材料的性能下降。一般电池片的电性能显示为Voc稍低，Isc明显偏小、其余性能参数较正常。