从附表1的IV数据可以看出，整体暗电池片的Voc比正常片低了12mv，通过Fig.3-3的EL图像（同一亮度）可以明显看出电池片的差异。腐蚀两片电池片的氮化硅薄膜、正背面电极、电场及PN结后测得整体暗的电池片平均寿命为8.76μs，而正常片的平均寿命为11.45μs（Fig.3-3c、d），原材料中含有过多的杂质导致复合增加是造成Voc偏低的主要原因。

3.2 工艺诱生缺陷-滑移位错

       当温度在大约900℃以上时，硅晶体的屈服极限降低，晶体中位错有可能发生运动而引起塑性形变。扩散、热氧化等过程都是在900-1200℃范围内进行，硅片在加热或冷却过程中，由于各处受热或冷却不均匀而产生温度梯度，热膨胀情况各处不同，继而产生热应力。当晶体中的热应力超过其弹性极限时，产生位错，位错通过位错源发生增殖，最终产生滑移线。位错源包括：a、晶体表面的机械损伤和微裂纹；b、杂志或O-Si的原子集团，旋涡带；c、掺杂剂的局部聚集等。一般而言，热应力在硅片的边缘比较大，因此边缘的滑移位错比较明显，然后向中心蔓延，严重时可以出现星形结构，如Fig.3-4a，Fig.3-4b为出现星形结构硅片的u-PCD扫描结果，Fig.3-4c、d为生产过程中出现滑移线的电池片EL图像。降低温度梯度减少热应力的产生是降低滑移位错产生的有效方法之一。