3.3工艺异常

3.3.1 扩散异常

        扩散制结为电池片制造过程中的核心步骤，P-N结的质量直接影响电池片的转换效率，结浅，电池片短波响应好，但会引起Rs增加；结过深，死层较明显，如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池开路电压和短路电流均下降，因此太阳电池的结深一般控制在0.3~0.5μm，方块电阻在50Ω/*左右。附表2为失效电池片的IV数据，由Fig.3-5b图可知电池片左下角黑色区域的电压高达440mV，腐蚀掉正面电极及氮化硅薄膜后扫描方阻（Fig.3-5c）后明显看出黑色区域的方阻比其他区域偏高，导致此区域与现有烧结工艺不匹配而没有形成良好的欧姆接触产生较大的Rs值。

Fig.3-5扩散异常

3.3.2 镀膜异常

         率背场（BSF）能够降低电池片背面的少子复合，提高少子扩散长度；反射长波段光子，提高长波段的光谱响应，最终提升电池片的光电转换效率。由附表3可知此电池片有很低的Voc和Isc，从Fig.3-6a、b可知率背场出现异常，腐蚀掉铝层后发现（Fig.3-6c）电池片的背面的90%以上的区域含有氮化硅薄膜，由于电池片采用管式PECVD镀膜方式，在舟中两片电池片背靠背放置，由此可知电池片在镀膜过程中，其中一片脱落或破碎，导致此片电池背面被镀膜，背面由于氮化硅的存在，使得经过丝网印刷后电池片在烧结过程中无法形成铝背场，且铝电极也无法与硅形成良好的欧姆接触，最终形成此类低效电池片。