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晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析

2013-7-2 17:58| 发布者: echo| 查看: 11443| 评论: 0|原作者: 李召彬|来自: 中国光伏测试网

摘要: 摘要:针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备(EL,PL,Corescan等),在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因,利用这些检 ...

3.3 烧结异常

        附表4是电池片的IV数据,可以看出其Rs非常高,Fig.3-7为电池片的各种测试结果,通过扫描corescon(Fig.3-7b)得知缺陷处的电压高达150mV,腐蚀后测试其方块电阻(Fig.3-7c)发现缺陷区域与正常区域的方阻值没有明显的差异,此电池片的漏电流大约为1.23A,漏电的主要位置从Fig.3-7d可以看出,其原因是电池片此区域存在异物如Fig.3-7f所示,异物高度大约为3μm,因此过高的烧结温度及表面异物污染导致较大的反向漏电流造成低效片的产生。

       EL和PL的区别上文中已经提出,即EL通过电池的电极注入载流子而PL不通过电极注入载流子,因此如果电池片存在严重的烧结异常(Fig.3-8b)时,通过EL无法检测出其他异常,但结合PL则可以检测出除烧结异常外的其它缺陷(原材料缺陷Fig.3-8a、指纹印、隐裂等),因此在检测电池片的过程中,EL结合PL能够起到事半功倍的效果。

3.3.4 印刷异常

        良好的印刷质量,能够减少金属电极与硅片间的接触电阻,影响电池的填充因子、短路电流和光电转换效率、断栅、印刷不均匀都会导致线性电阻增大,降低转换效率。Fig.3-9a为存在大量断栅的电池片的EL图片,IV数据如附表5,可以看出断栅处显示为黑色,说明此处没有电流通过导致响应变差,Fig.3-9b是断栅区域某根栅线的局部放大图片。

4、结语

        本文讨论了原材料及电池片生产过程中的常见缺陷及异常现象,并利用各种测试设备的检测结果分析了缺陷及异常现象的成因,针对分析结果改善工艺条件,以减少产品的不合格率,为公司降低成本减少损失。


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