在测量过程中，通过样品的电流从两个方面影响电阻率的测量：少子注入并被电场扫到内探针附近使电阻率减小；当电流较大时使样品发热，提高样品测量区温度。我们知道，一般杂质半导体，温度升高，载流子的晶格散射作用加强，引起电阻率的升高。少子注入的影响取决于电流、探针间距及少子寿命等。电流大、针距小、寿命长，影响就大。为此在测量电阻率时应当注意下列事项。

       1、被测样品的表面应当经过研磨或喷砂处理，提高表面复合率，降低少数载流子。

       2、应适当选取容易得到欧姆接触的材料作为探针，并给足够的接触压力，以减少少数载流子注入的影响。探针材料的选择还应考虑材料的耐磨性，如：钨丝、碳化物、高速钢丝（高速钢钻头的半成品）。

       3、应适应选择探针间距，既要保证测量区域内电阻率均匀，又要减少少数载流子注入效应的影响。

       4、应适当降低测量电流，保证测量在弱场下进行，一般选取电场E<1V/cm。若探针2、3间距是1mm，使探针2、3间的电位差U23不超过100mV，使探针2、3间的电位差U23不超过100mV。样品中电场过强，少数载流子的漂移长度大，对电阻率的影响大。如果是低阻样品，为避免电流焦耳热效应，电场选择得还要小。

       少数载流子的注入，一般对高阻样品影响较大。因为高阻样品本身的多数载流子浓度就比较低，而且高阻样品的少数载流子寿命长，因此少数载流子的漂移长度就更大了。

       一般情况下对硅来说，电阻率在几个欧姆/厘米以上时，少数载流子的注入和被电场扫入探针2、3区域是样品电阻率下降的主要原因。对低阻单晶，因为U23很小，所以往往电流选择的比较大，在这种情况下，主要由焦耳引起测量的误差。

       少数载流子注入对测量电阻率的影响是可以检验出来的。取一块高阻样品，先选取一个合适的低电流，测出样品的电阻率。然后在略微增大电流，再次测量样品的电阻率。如果两次测量的结果变化很小，说明少数载流子的注入影响很小，电流的选择是合理的。如果样品的电阻率明显地随选取的电流的增加而减小，则说明少数载流子注入的影响较大，就应该通过样品的电流减小。

       焦耳热对低阻样品电阻率的影响也是可以检验的。取一低阻样品，在较大的电流下进行测量，记录或观察测量读数随通电时间的变化可以发现，低阻率随时间的增加而上升。这种电阻率的上升现象就是由于样品发热而引起的。综上所述可知，为了避免电流在通过样品时产生焦耳热或少数载流子注入的影响，测量电流应适当减小。对于不同电阻率范围的样品，测量电流范围可按下表进行选取。