墨SE电池工艺流程如图3所示，其相对于传统电池工艺流程，仅在清洗制绒和扩散之间增加一道丝网印刷磷墨的步骤。图4左展示了印有磷墨的硅片在扩散前的形态，线形清晰可见，磷墨副栅线的宽度视印刷机的套印精度而定，一般在60~300μm，选择性扩散为一站式扩散，传统管式高温炉管可满足要求。磷线下的结深可达0.5~1μm，这种深结可使得正面银浆的烧结窗口被放大，从而降低了对扩散、烧结与银浆的匹配性要求。采用PECVD沉积SiNx膜之后，印过磷线的区域轻微泛白，肉眼可辨，如图4右所示

图3：磷墨SE工艺流程示意图

图4：扩散前的硅片（左）和镀SiNx膜后的硅片（右）

      优点之一：开压高，填充高

       优点之二：金属化窗口变大