优点之三：组件封装损耗可控

    高效电池组件封装损耗升高的主要原因：

       光学损失：普通EVA的透过率截止波长为360nm，电池短波响应改善带来的电流增益到组件时损失严重；

       电学损失：工作电流越高，组件中连接条的电阻损耗越高；

    针对SE电池组件的改善方案：

       方案1：保持原栅线根数，降低受光区方块电阻，牺牲部分短波响应换来高填充因子，如下表SE产线平均参数值，客户反映该类SE组件封装损耗可与传统工艺持平甚至更低；

       方案2：SE+密栅，高方阻高短路电流&高填充因子，更高的电池效率，需采用高短波透过率EVA或硅胶膜，同时背板需抗紫外辐射来降低封装损耗同时保证组件使用寿命；

   产业化案例与讨论

       我们对一条由传统生产线升级而成的SE电池生产线进行了评估，随机选取产线中一个批次的1万片硅片，等分成两组，一组采用传统工艺，另一组采用磷墨SE工艺，比较最终制成电池的电性能。大致情况如下：

     （1）片源：某国内厂家生产；CZ- p型掺硼单晶，尺寸125-D165（154.83cm2）厚200μm；电阻率1~3Ω.cm。

     （2）生产设备：除烧结炉外，全为国产设备。

     （3）辅料：磷墨（SR-P601），电极浆料（国产）。

       实验结果：如表1所示，相比传统工艺（REF分组），磷墨SE分组的电池平均开路压提高约10mV，平均短路电流（Isc）达到5.83A，填充因子（FF）大致相当，平均转换效率提高0.47%。从图5可看出，SE组的上述参数分布相对传统工艺更为集中，说明工艺的稳定性更好。

表1：磷墨SE电池与传统工艺电池电性能比较。

 (c)                                                          (d)

图5： (a) 开路电压（Voc）统计对比；(b) 短路电流（Isc）统计对比；

         (c) 填充因子（FF）统计对比；(d) 转换效率（Eff）统计对比。

      （注：REF 代表传统工艺组；SE 代表磷墨SE工艺组）。

       该批生产的SE电池中，最高转换效率达到19.2%，其开路电压为644mV，短路电流密度37.7mA/cm2，填充因子为79.02%，其I-V特性曲线如图6所示。