14.2.4 直流电压降，Vdc，单位为V，峰值（测量方法A）或饱和（测量方法B）电压调制值DV0，单位为毫伏，

14.2.5 是否采用了信号调整装置（仅对测量方法B），

14.2.6是否进行了调制修正（仅对测量方法A），

14.2.7 样条寿命tF的测量值或修正值（如果在测量方法A中进行了调制修正），

14.2.8 体少数载流子寿命的计算值tB，单位为ms。

15.  精密度和偏差

15.1  精密度：

15.1.1测量方法A―本标准的1975版声称本测量方法被有能力的操作者在许多实验室使用时，期望的精密度估计对测锗为±50%（两个相对标准偏差），测硅为±135%（两个相对标准偏差）。未提供有关此估计的基础资料。由于本测量方法某些方面已被阐述得更全面，现今版本的精密度能期望较原估计有改善。但是，如对硅要进行更精确的测量，建议采用测量方法B。

15.1.2 测量方法B―DIN 50440/13声称，在符合本测量方法的条件下确定低注入水平少数载流子寿命时，相对不确定度不超过±10%。未提供支持此声明的资料。

15.2  偏差―由于没有能从之确定真实值的绝对标准，因而不能提供有关偏差的完整论述。但是，DIN 50440/13声称，如果寿命由硅中某些复合中心控制，由于本测量方法中给出的低注入水平条件对这些复合中心并不是要求很严，系统误差不超过+10%。