11.3.2.1 如表面氧化过，先用稀HF腐蚀掉氧化物后再用碘—乙醇或一种可替代的钝化液钝化它。腐蚀时间与氧化层厚度有关，从薄氧化层（<5nm）的30秒左右到厚氧化层（~200nm）的10分钟左右。

11.3.2.2 再说一遍，在进行检测之前要保证钝化技术能获得稳定可重复的测量结果（见3.2.1节）。

注5：抛光面经氧化或化学溶液钝化会极大地减小表面复合速度。例如，仔细制备的热氧化硅表面的表面复合速度降至1.5到2.5cm/s，在HF酸中剥离氧化层后复合速度可降至0.25cm/s(参考文献12)。这篇文献还概述了确定表面复合速度的方法。浸入碘—乙醇钝化液（见8.4节）已表明可将无氧化层的化学抛光硅片的表面复合速度降至£10cm/s。¹⁰

注6：界面俘获电荷密度（D_it）可通过文献描述的各种技术去测量¹³。然而，这些技术都没有被订为标准。

12.  步骤

注7：下列步骤给出了充分的细节供手动数据采集和分析之用。强烈推荐使用具有数据存储和显示能力的用计算机控制的设备来进行仪器的安装、数据采集和分析。这时，所使用的步骤和算法，必须与本节所列内容等效。

12.1  如参数未知，按SEMI MF42测定导电类型，按SEMI MF533或SEMI MF1530测量样片中心点厚度，按SEMI MF84或按SEMI MF673测中心点电阻率。按SEMI MF723将电阻率转换为多数载流子浓度（n_maj，单位为载流子/cm³）。把这些数据与标称直径及正、背面的状态（抛光、腐蚀、研磨、切割等）一起记录下来。

12.2  记录室温。如果样品台是控温的，记录样品台表面温度。

12.3  装载样片到样品台，使光脉冲能照射到需检测的区域。

12.4  打开脉冲激光光源开关（见7.1节）。

12.5  调节光强使注入水平η达到所需值。如未指定注入水平，将它设定为100。如果不靠设备自动调节，可按下法设置注入水平：

12.5.1 如样品被氧化过，而氧化层厚度未知，用一种测试有关各方都接受的方法进行测量或估计。记录厚度。

12.5.2 通过图3虚线确定并记录入射光线穿过氧化层被样品吸收的比率。 

图3

覆盖有0至1mm厚的二氧化硅（SiO₂）层的硅片上，入射光的反射部分（实线）

或吸收部分（虚线）的比率。

注：计算时假定入射光波长l为905nm，硅的折射率取3.610，SiO₂的折射率取1.462。最大吸收发生在氧化层厚度d=(2n+1)l/4，最小吸收发生在d=nl/2，n=0，1，2，等等。当入射光波长l₁不等于905nm，要用氧化层有效厚度d_o=905d₁/l₁来使用这些曲线求相对强度，其中d₁为氧化层实际厚度。 

12.5.3 调节光源强度使得硅片在脉冲作用期间吸收的光子密度j等于η´n_maj，这里η是所需注入水平，n_maj 是12.1节求出的硅片多数载流子浓度。单位为光子数/cm³的光子密度j由下式给出：