在冻结区和本征区之间的温度区域内，多数载流子浓度等于掺杂剂净浓度，上式各项的分母为常数。如果另外还假定俘获时间常数与温度没有关系，则在缺陷中心部分填满的温度范围（即包含p₁或n₁的一项在小信号复合寿命中占主导）内，从lnt₀与1/T的关系曲线的斜率可获得缺陷中心的能级e_T。虽然严格地说此假设通常并不很正确，但俘获时间常数随温度的变化与载流子浓度的指数关系相比通常是要小很多的。

R2-4 n型和p型硅中的元素铁，p型硅中的铁硼对，这三种例证可用来阐明上述分析。在每种情况下铁浓度都假定为5´10¹¹原子/cm³，掺杂剂浓度假定为1´10¹⁵原子/cm³。对p型硅，这种掺杂剂浓度相当于电阻率r»10-15W×cm；对n型硅，它相当于电阻率r»3-5W×cm。温度范围考虑从250至1000K，在此范围内可假定掺杂剂原子完全离化。元素铁是施主中心，它位于如表R1-1所示的禁带下半部远高于价带边的位置上。铁硼对也是施主中心，但它离价带顶要近得多。于是，在各种情况下，p₁>>n₁，其差别在铁硼对的情况下更大。

R2-4.1 p型硅中的元素铁（见图R2-1）——在室温以下，p₀>>p₁>>n₁>>n₀，于是t₀=t_n0。在约150℃至约200℃之间，p₁>p₀>n₀，p₁项为最大的单项。但由于p₁和p₀之间没有太大的差别，t₀曲线的斜率决不能达到p₁项的斜率，所以元素铁中心的能级不能从曲线上精确获得。在更高的温度，n₀变得可与p₀相比较（接近本征条件），载流子复合寿命下降，但公式中没有一个单项占主导，所以曲线斜率没有物理意义。 

R2-4.2 n型硅中的元素铁（见图R2-2）——在约100℃以下，n₀>>p₁>>n₁>>p₀，于是t₀=t_p0。在约200℃至约225℃之间，p₁>n₀>p₀，于是t₀=t_n0。p₁项又是最大的单项。这时，p₁项和p₀项之间的差别更小，t₀曲线的斜率不受任一个单项支配，所以元素铁中心的能级不能从曲线上获得。在更高的温度，p₀变得可与n₀相比较（接近本征条件），载流子复合寿命下降，但对于近本征的p型材料，公式中没有一个单项起主导，所以曲线斜率没有物理意义。 

R2-4.3 p型（掺硼）硅中的铁硼对（见图R2-3）——此时，p₁>>p₀>>n₀>>n₁，所以从远低于室温到225℃左右的所有温度下，p₁项在低注入复合寿命公式中占主导。由于p₀=N_硼，t₀»t_n0(p₁/N_硼)，所以从t₀与1/T关系曲线的斜率可获得铁硼对的激活能De=e_Fe-B-e_v。在更高的温度下，材料变成近本征的，分母增大，导致t₀减小。

R2-5 上述例证说明，在有限的条件下，从测量得到的载流子复合寿命与稍高于室温的温度的关系中获得的激活能是可以与位于禁带接近中央位置的缺陷中心的能级相联系的，这正是大多数元素金属杂质的情况。