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带旁路二极管的太阳能组件遮挡特性研究

2013-11-13 15:20| 发布者: echo| 查看: 7861| 评论: 0|原作者: 郭泽等|来自: 中国光伏测试网

摘要: 摘要:本文建立了带旁路二极管保护的太阳能电池组件的数学模型,研究了有遮挡发生或者组件失配时模型中的各个参数对I-V曲线的影响,并结合实际分析了如何减小遮挡对带旁路二极管的组件的影响。 0 引言 晶体硅太 ...
       参数SR是太阳电池单片的等效串联电阻。由图四可以看出,随着等效并联电阻的减小,整体I-V曲线会变得更好,同时畸变也会变得更小。该结果表明,工艺上如果把太阳能电池的等效串联电阻做小的话不仅能提高无遮挡时太阳电池的整体性能,同时也会提高发生遮挡时的太阳电池性能。
       1、1、2、4 旁路二极管的反向饱和电流与I-V曲线的变化

图五、各个反向饱和电流下的IV曲线

       参数0I是受遮挡的单片所并入的保护旁路二极管的反向饱和电流,该电流是旁路二极管的重要参数。由图五可以看出,该参数对电池的IV曲线影响不是很大,但是当这个值较大时曲线相对较好。
       1、1、3 模型推广
       这个模型虽然只是带旁路二极管的单个太阳能单片遮挡的情况,但实际上,组件的等效电路和输出曲线和单片的所有特征都是一样的。因此这个模型可以适用于多个有旁路二极管的组件串联,其中有一块组件发生失配的情况。
       1、2 多个单片并联一个旁路二极管的情况
       1、2、1模型描述
       这种情况下的模型跟第一种情况的区别在于多个单片并联一个二极管,其中前面十个电池片参数彼此相同,并在旁路二极管内的十个电池片参数彼此相同,这十片电池片的输出电流比较小,相当于模拟串在一起的十片电池有遮挡的情况。如图六所示。

图六、十片单片出现遮挡的模型

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