表2给出单晶硅较低的扩散掺杂表面浓度(Ns=2.2×10-20cm23,Rsq=50Ω,Xj=0.36 μm)条件下表面具有磷硅玻璃(PSG)及使用HF溶液腐蚀去除磷硅玻璃、去除磷硅玻璃后进行干氧氧化钝化表面、钝化后淀积TiO2减反射膜(ARC)的单晶硅基片上制作电极样品的测试结果。

       对制备的太阳电池(Φ100)进行了暗I—V特性的测量,结果见图4。 

       3  讨论 

       由表1、图1和表2、图2知: 

       1)具有磷硅玻璃层的硅—银电极的欧姆接触电阻在低温烧结时最大,这主要是由于磷硅玻璃层较厚,扩散完后的磷硅玻璃呈蓝色,厚度约为80nm, 在低温(620℃ )烧结时不易烧穿,因此在两组试验中其硅—银电极的欧姆接触电阻均为最大。在较高的烧结温度下,掺杂浓度较高的磷硅玻璃薄膜比其他条件的薄膜更容易“烧穿”,而使金属电极与高掺杂浓度的Si表面接触形成良好的欧姆接触。在720℃烧结时较低,之后会上升,估计是在此高温下硅表面的磷原子易扩散进硅片内部,使表面浓度 的降低,导致欧姆接触电阻增大。 

       2)对多晶硅样品,表面有磷硅玻璃或没有磷硅玻璃,烧结温度从720℃变化到785℃时,硅—银电极的欧姆接触电阻变化不大,这可能是由于磷沿晶界的扩散系数较大,银浆中的磷可以及时补充硅片表面扩散,甚至多余扩散进去的磷,使硅—银电极的欧姆接触电阻变化不大或还略有下降。 

       3)对表面有SiO2、TiO2层的单晶硅样品,烧结温度从720℃变化到800℃时,硅—银电极的欧姆接触电阻从高变到低,又升高;存在一个最低的接触电阻。这一结果说明720℃下烧结,银浆已能烧穿和硅片表面接触,提高温度时,银浆中的磷搀杂成份进入硅片的量增加,使硅片表面的杂质浓度增加,导致接触电阻下降。但当银浆中的磷搀杂成份基本进入硅片后,再提高温度则已无磷源补充,而硅片表面的磷由于扩散进入内部而减少,硅片表面杂质浓度下降,使接触电阻上升。