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晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

2013-11-26 14:14| 发布者: echo| 查看: 4939| 评论: 0|原作者: 刘祖明等|来自: 中国光伏测试网

摘要: 摘要:金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一,本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏,应在保证p/n结特性良 ...
       不能仅以欧姆接触电阻最小来判断印刷烧结工艺的好坏。在FERRO23349银浆中,铅硼硅玻璃配料为氧化铅、氧化硼、氧化锆、氧化硅等,约占浆料组分的5%,银约占浆料组分的80%,磷掺杂约为1.5%,其余为有机载体。在高温下烧结可能得到较小的接触电阻,此时若银等有害杂质原子扩散进入结区,会形成大量的复合中心,大大降低少子寿命,并严重影响结的性能。严重时,还会穿透太阳电池n+/p结造成短路。 
       图4为不同烧结条件下太阳电池n+/p结无光照条件测量的I—V特性曲线,p/n结正向导通电压点后曲线斜率与串联电阻对应成反比例。在合适的烧结条件下,银电极浆料中的玻璃成分使太阳电池表面的减反射膜介质得到充分的融化,固化后的厚膜银电极与n+高浓度

       表面形成良好的欧姆接触。测量得I—V特性如图4c所示。图4d为烧结温度低、时间短的情况。图4b为烧结温度较高的情况。此时,由于电极浆料中的有害成分已开始进入发射区,破坏了n+/p结的特性,使接触电阻增大;这些进入发射区的深能级杂质也使n+/p结特性变坏(漏电流增大、结电压降低)。图4a为烧结温度过高的情况。因此判断印刷烧结工艺的好坏,应在保证p/n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。在试验中测量得样品最小的接触电阻为0.0065Ωcm2,与实际测量的晶体硅太阳电池串联电阻值约1.5Ωcm2相比,在总串联电阻中是可以忽略的,说明目前的工艺条件基本能满足要求。在优化的烧结条件下,丝网印刷烧结银电极的比接触电阻可以达到10-4Ωcm2[3],说明目前的工艺条件还应进一步优化。在丝网印刷电极图形下进行适当的高浓度掺杂磷扩散,制作成选择性发射极太阳电池,更有利于改善电极欧姆接触[4],提高太阳电池的光电转换效率。
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