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组件封装中的电学与光学损失

2013-12-19 14:41| 发布者: echo| 查看: 22522| 评论: 0|原作者: 于振瑞|来自: 中国光伏测试网

摘要: 摘 要:晶硅太阳能电池组件封装中最重要的考核指标为封装损失,封装损失主要来源于封装材料的串联电阻损失和光学损失。本文对这两种封装损失建立了简单的物理模型、进行了数值模拟并与实验数值进行了比较。结果表明 ...
       产生的功率损耗为

       2.5 Ag主栅线-涂锡铜带之间的焊接不良造成功率损耗
       设电池正面互连条与主栅线之间发生虚焊现象,虚焊长度为c,如图4所示。在此情况下,由此处的Ag主栅线收集的电流不能沿垂直方向输送到互连条中,而是必须首先沿Ag主栅线横向流动,直到遇到焊接良好的区域再被输送到互连条之中,该段电流的输送在图4中用阴影箭头表示。由于Ag主栅线一般较薄(设其厚度为t3),单位长度的等效电阻较大(由后面的计算可知,Ag主栅线的电阻约为互连条电阻的10倍),所以电流横向流过Ag主栅线会产生额外的功率损耗。如果忽略由于虚焊造成的互连条中电流分布的变化对其功耗造成的影响,则可以估算虚焊造成的额外功率损失如下。

        与2.1.1的估算类似,长度为c的Ag主栅线的功耗为:

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