| 原始硅片需要进行表面织构化以形成陷光结构，增强光学吸收性能，表面织构化又称作制绒或者扩散前处理。目前采用的化学腐蚀方法，是利用硅在化学溶液中发生各向异性（单晶）或各向同性腐蚀的特性，形成特定的形貌。 判定织构化优劣通常采用宏观的和更为综合的测量手段--积分反射仪，所得反射率水平受宏观陷光性能直接影响，其实受更多的微观间接因素共同制约，如陷光结构规格、均匀性、边角形貌，深入研究和评价就需要用到微观测量手段。 图5、6分别显示了在LSCM平台测量的单、多晶表面陷光结构，对比Gim Chen与Ismail Kashkoush研究中[4]的光学和电镜图像，LSCM已经能够将“金字塔”和“蠕虫”的立体形貌完整呈现，并且仍有进一步放大的空间。 2.2 边缘隔离的测量
图7 采用不同蚀刻方式的硅片边缘：A，湿法蚀刻；B，等离子蚀刻 在晶体硅电池生产中，为了实现电池结构，通常要对边缘导通的p-n结进行阻断，可能用到包括等离子蚀刻、激光蚀刻、化学溶液蚀刻等不同方式，化学溶液蚀刻（即湿法蚀刻）是目前已经成熟运用、替代等离子蚀刻的技术方案。这得益于化学溶液蚀刻可以兼顾保留硅片有效面积、提高背面接触性能、保持边缘机械强度等优势，通常更关注的是背面的腐蚀深度和腐蚀形貌[5]。另外，等离子蚀刻（图7 B）在硅片正反面都会造成不同程度的过刻区域（颜色较明亮的斑块），所以相对于等离子蚀刻，化学溶液蚀刻的优势更来自于减小了对正面边缘p-n结的损伤（图7 A），在保留硅片有效面积的基础上，进一步提高了p-n结的面积，对于电池电流的提升和漏电的抑制都很显著。 2.3 电极及金属化的测量 起汇集电流作用的电极，通常做成梳状或网络状栅线，无论是材料的选用还是电极的形貌，都对电池的性能有着至关重要的影响。所以在目前成本和性能兼顾的行情下，无论是产品开发过程还是生产环节，不仅需要监控栅线宽度，更需要关注栅线高度及纵横比。而对于栅线宽度的观察相对比较方便，即使普通的光学显微镜也能做到有效的观察[7]，要对栅线高度做准确测量就需要用到SEM[8]或LSCM，而且SEM需要通过横断面进行高度测量，LSCM可以从正面获得栅线3D形貌测量（图8）。 |
