| 对于图10所示的栅线缺失的问题，实际上是得益于电池的高漏电数据以及红外热成像定位的漏电位置，在利用LSCM观察漏电位置时发现了银栅线缺失，而且在缺失的栅线处有多处塌陷。为了考察清楚栅线缺失的根本原因，进一步对漏电位置进行了断开，从横断面上发现了晶体存在贯穿电池前后的孔洞（图11 A），是造成电极塌陷及p-n结导通的诱因，因为正常区域（图11 B）的横断面都是光滑、完整的。国内西安交通大学的黄国华[9]等人曾经在研究报告中指出多晶的微孔缺陷，本文所发现的缺陷也具有上述微孔的相应特征。 能够实现对于180μm厚度的硅片横断面进行观测，充分显示了LSCM“共聚焦”测量的优势，这方面普通宽视野光学显微镜是达不到的。
图11 电池不同区域的横截面形貌：A，漏电点；B，正常 2.5 新型高效电池开发 近年来，随着市场对于电池转换效率的要求提高，各研究机构和电池生产企业都在推出更高水平的电池生产技术，以满足客户需求。其中黑硅（BS，Black Silicon）[10]、钝化发射极和局部背接触（PERC, Passivated Emitter and Rear Contact）[11]是目前两个典型的研究和应用方案，两个方案的开发和生产实施也离不开微观形貌的测量。
图12 黑硅3D表面形貌 |
