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用内量子效率计算电池的表面复合速率

2014-6-13 15:18| 发布者: echo| 查看: 2486| 评论: 0|来自: 光焱科技

摘要: 对于太阳能电池性能的测量,通常使用有两种方法进行测量,一种是IV伏安特性曲线,另一种就是是光谱响应或者说量子效率测量。伏安特性曲线可以给出基本的电池参数,如短路电流、开路电压、填充因子、电池效率等。而光 ...
       对于太阳能电池性能的测量,通常使用有两种方法进行测量,一种是IV伏安特性曲线,另一种就是是光谱响应或者说量子效率测量。伏安特性曲线可以给出基本的电池参数,如短路电流、开路电压、填充因子、电池效率等。而光谱响应给出了更加详细电池性能,甚至包含了表面复合速率[1]、少数载流子扩散长度等参数。
       目前太阳能电池的光谱响应广泛地被用于研究材料参数、制作工艺等对电池器件性能的影响。电池对光的响应通常以内量子效率和波长的函数关系表现出来。当单色光入射到一块电池上时会被电池吸收,光强以指数形式衰减,

       其中是材料吸收系数, 为波长, 为距入射表面的距离。于是内量子效率写成,
       其中, 代表了在 处光生载流子被结收集的概率。
       下图为一种双面太阳能电池结构示意图。以这种电池为例,通过推导   ,可以计算出发射区、耗尽层、基区的内量子效率IQE,再与实验测得的IQE进行比较,即可得到扩散长度,结深,表面复合速率的值。


图1
       根据半导体的理论公式可以计算出不同表面复合速率下,不同深度处光生载流子被结收集的概率  。假设在发射区重掺情况下,平衡载流子浓度p0可以写成,

       nie和nio是本征载流子浓度和有效载流子浓度,ND和NDeff是掺杂浓度和有效掺杂浓度,∆Eg是禁带宽度的改变量
       然后,将少数载流子浓度归一化,


       p(x)是x处载流子浓度,p0(x)是x處处平衡载流子浓度。然后定义,



 
       x=0和x=We分别对应于发射区的表面和结的表面。在上式的帮助下,发射区的 可以写作,
(1)       
    
       其中,



       Se前表面的表面复合速率,W是发射区宽度。根据式(1),Se可以选取一些不同的值,例如 cm/s、103 cm/s、104 cm/s等,就就可算出对应某一表面复合速率Se与距离的关系图,如图2所示


       图2假定不同的前表面复合速率Se,根據式(1)可算出发射区中不同位置处收集效率 的值。x轴为发射区表面到结边缘的距离。y軸轴为收集效率   的值。红色箭头所指曲线是Se=106 cm/s時,收集效率 的值。
       同样,对于基区  可写作,
(2)

     
       其中Wb是基区宽度,x是离结边缘的距离,Ln和Dn是p型基区中电子的扩散长度和扩散系数,Sb為为背表面的表面复合速率。根据上式,Sb可以选取一些值,例如0 cm/s、100 cm/s、250 cm/s等。就可算出对应某一表面复合速率Sb ,如图3所示。

       图3 假定不同的背表面复合速率Sb,根据式(1)可算出基区中不同位置处收集效率 的值。x轴为基区表面到结边缘的距离。y轴为收集效率 的值。红色箭头所指曲线是Sb=106 cm/s时,收集效率 的值。
       因此,將Se、Sb值代入式(1)和(2),可以得到发射区与基区的收集效率      。再将 代入IQE公式,便可得到发射区与基区的内量子效率。在这个例子中选取了Se=106 cm/s、Sb=250 cm/s,计算得到相应收集效率   ,如图2、3中红色箭头所指曲线。而耗尽层中的   始終为1。再将其代入IQE公式中,得到发射区、耗尽层、基区中的内量子效率。将三者相加便可得到电池的内量子效率,图4。与实验所得的太阳能电池内量子效率进行比较,当选择106 cm/s、Sb=250 cm/s时,拟合数据与实验数据相吻合,于是确定了电池的表面复合速率Se=106 cm/s、Sb=250 cm/s。


图4
       精密且功能完整的量子效率/光谱响应/IPCE测试系统,搭配高单色光强度的特殊光路系统,可以快速准确的测量出各种电池的内外量子效率。通过这种非破坏性的光学测试方法,结合理论公式,就可方便,经济的得到表面复合速率等关键的器件性能指标。
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