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二探针测硅棒
SEMI MF43-0705、SEMI MF397-02推荐的材料验收检测方法。
计算公式由电阻率定义及欧姆定律推演产生，经典可靠。修正因素及副效应少，测量的是二探针之间区段的平均电阻率，更能反应体内的情况。
早期的设备要求在棒两端电镀、塗导电浆料、超声焊接做电极，广州市昆德科技有限公司采用了弹性导电材料做电接触，免除了做电极的麻烦，减少了对样品的污染。
四探针测硅单晶
SEMI MF43-075、GBT-1552认定的硅单晶电阻率标准测试方法。
计算公式由两源的拉普拉斯方程解出，求解偏微分方程的边介条件是半无限大的介质，实际使用时要求任一探针与边介的距离要大于4S，否则误差会大于5%，因此不适用于细园棒的纵向电阻率测量，而适用于测量大直经单晶的横断面电阻率。它测量的是四探针接触区的局部电阻率。标准中明确指出四探针测量法不推荐用来测量多晶材料的电阻率。
四探针测硅片
SEMI MF86-01、SEMI MF84-02认定的硅片电阻率测试方法。
针对硅片厚度的不等以及测点与硅片边介距离的不同，精确地计算出了厚度修正因子F（W/S）和直径修正因子F（W/D），使测试结果准确可靠，因此无接触测量仪器以及扩展电阻设备所需的标准样片都是由四探针法测量标定。这是国内外公认的最准确的硅片测量电阻率的方法。同样也是测量探针压触区的电阻率，因此可以测量电阻率的均匀性。 | 
