少子寿命测试仪不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。

少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0。1Ω。cm(可扩展至0。01Ω。cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。 少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。

半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。如，在 N型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子；在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

多子和少子的形成：五价元素的原子有五个价电子，当它顶替晶格中的四价硅原子时，每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合，而余下的一个就不受共价键束缚，它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子，因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子，尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子，但它束缚在晶格中，不能象载流子那样起导电作用。这样，与本征激发浓度相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加了，而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大，其浓度反而更小了。

少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。

常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法，包括微波光电导衰减法(MW-PCD)，准稳态光电导方法(QSSPC)，表面光电压(SPV)，IR浓度载流子浓度成像(CDI)，调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC，EBLC)

少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一，对器件特性的精确描述起着重要作用，特别是对以PN结为基本结构的器件，额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用，因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。

太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命。少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结，受PN结电场分离后对外产生光电流，同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压，所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数，光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试，通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。

少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片，硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片，硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。

少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。

少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1％，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法。