1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；

　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于16和14PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于2和18PPMA；

　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17.5%和18.5%；

　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；

　　5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%。

　　6.含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于98%。

　　（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：

　　1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；

　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；

　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%；

　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；

　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。

　　（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。

三、资源综合利用及能耗

　　（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。

　　（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：

　　1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；

　　2.现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克；

　　3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克；

　　4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；

　　5.电池项目平均综合能耗小于12万千瓦时/MWp；

　　6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。

　　（三）光伏制造项目生产水耗应满足以下要求：

　　1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%；

　　2.硅片项目水耗低于1400吨/百万片；

　　3.电池项目水耗低于1700吨/MWp。

　　（四）其他生产单耗需满足国家相关标准。

　　四、环境保护

　　（一）新建和改扩建光伏制造项目应严格执行环境影响评价制度，未通过环境影响评价审批的项目不得开工建设。按照环境保护“三同时”要求，项目配套建设环境保护设施应依法申请项目竣工环境保护验收，验收合格后方可投入生产运行。企业应有健全的企业环境管理机构，制定有效的企业环境管理制度，定期开展清洁生产审核。

　　（二）废气、废水排放应符合国家和地方大气及水污染物排放标准和总量控制要求；恶臭污染物排放应符合《恶臭污染物排放标准》(GB14554)，对产生的工业固体废物要依法贮存、处置或综合利用，应符合《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597）和《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18559）相关要求，SiCl4等危险废物应委托具备相应处理能力的有资质单位进行妥善处置；厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348）。

　　（三）鼓励企业通过ISO14001环境管理体系认证、ISO14064温室气体核证、PAS2050/ISO/TS14067碳足迹认证。

　　（四）光伏制造项目应按照环境影响报告书（表）及其批复、国家或地方污染物排放（控制）标准、环境监测技术规范的要求，制定自行监测方案，开展自行监测工作，公开自行监测信息。