三大黑硅制程 各具优缺点 比较黑硅三大制程的优缺点，干法黑硅的提效效果最佳，且较湿法、添加剂法有更实际的量产实绩，因此发展必定有其优势。迭加金刚线切片、PERC以及干法黑硅技术，符合太阳能发展的一贯手法，小幅的成本增加，持续稳定提升效率，成为干法的最大优势。然而，现阶段干法设备投资成本过高，降低大家接受的意愿，因此干法黑硅需要在设备的性价比渐趋合理后，于2018年后才有机会扩大应用规模。 干法虽然商业化有所推迟，但发展仍然稳定可期；相较之下，湿法虽然较有成本优势，然而制程相对复杂、且批次效率不稳，还有环保疑虑等问题，后续发展性的限制会较多。 从今年的发展来看，采用添加剂的直接蚀刻方法最具竞争力方法。对多晶厂商而言，添加剂蚀刻无需增加任何设备就可以维持效率，封装组件后维持目前270W的主流瓦数，搭配金刚线切片将带来强大的性价比优势。目前几乎所有厂商都在研究直接蚀刻，2017年黑硅组件的出货比例会在第3季起显着增加，到2018年底有望达到8成的替换率。
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