图1给出了n型硅片和p型硅片有效少子寿命随不同摩尔浓度碘酒的变化规律，在开始有效寿命随碘酒浓度变大而升高，达到最大值后随碘酒浓度增加而下降，在碘酒浓度为0.08mol/L时，测得有效少子寿命τeff最高，n型硅片为973.71μs，p型硅片为362.6μs。利用公式（1），假定硅片的体少子寿命τb无穷大，式中1/τb可以忽略，在已知硅片厚度的情况下，可以求出表面复合速率S，如图2所示。p型和n型硅片的最低表面复合速率分别为Sp=24.82cm/s和Sn=9.25cm/s。

    硅片表面的大量悬挂键与碘原子结合，以Si-I键形成存在，反应式如下：

      其中I是碘原子，Si硅片表面的悬挂键≡Si●与I结合形成Si-I键，大大降低了悬挂键密度。

      可由公式（4）计算段话后的表面复合中心密度Ns，其中σ为载流子俘获截面：σ≈5*10-17cm2；νth为载流子热运动速度：νth=1.17*107cm/s。未经钝化的硅片表面悬挂键密度Ns为1.3*1015cm-2，从而估算出n型硅片经碘酒钝化后表面复合中心密度Ns≈10的九次方cm-2；p型硅片经碘酒段话后表面复合中心密度Ns≈10的十次方cm-2.

       但实际测得的有效少子寿命τeff与实际硅片的体少子寿命τb还是有一定差距，硅片的体少子寿命τb不可能是无穷大，计算出的表面复合速率S要比实际的大。可以通过测量不同厚度硅片d的有效少子寿命τeff，结合公式（1）来计算出τb和S。

    图3和图4分别是p型和n型硅片1/τeff随1/d变化规律。通过线性拟合，可以求出1/τb和2S。n型硅片的τb和S分别是1216μs和5.2cm/s；P型硅片的τb和S分别是582μs和15.8cm/s。

    图5是n型硅片在0.08mol/L浓度的碘酒钝化下，随时间的变化规律，可以看出碘酒钝化后直接最高，少子寿命接近1ms，随时间增加衰减很快，在30分钟时已经降低到不到800μs。所以，碘酒钝化后少子寿命的测量要在短时间内尽快完成，时间越长测量值就越低，偏离体寿命越多。

4、结论

      本文采用不同浓度的碘酒溶液对硅片进行钝化，利用微波光电导衰减法（μPCD）测量了晶体硅的有效少子寿命τeff，碘酒溶液浓度在0.08mol/L时，对硅片钝化最为有效，测量有效少子寿命τeff最高，n型CZ硅片为973.71μs，p型CZ硅片为362.6μs；并研究了碘酒钝化随时间的衰减规律。另外，通过对不同厚度硅片有效少子寿命τeff的测量，理论计算出了n型硅片的τb和S分别是1216μs和5.2cm/s；p型硅片的τb和S分别是582μs和15.8cm/s。