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单晶硅太阳能电池背抛光技术研究

2013-9-24 17:10| 发布者: echo| 查看: 12786| 评论: 0

摘要: 太阳能发电作为二十一世纪经济发展中最具决定性影响的五个技术领域之一的新能源和可再生能源中的一种,由于其具有环保、高效、节能以及取之不尽、用之不竭等特点,已成为新能源中最受瞩目的能源。因此,着力加强对太 ...
       太阳能发电作为二十一世纪经济发展中最具决定性影响的五个技术领域之一的新能源和可再生能源中的一种,由于其具有环保、高效、节能以及取之不尽、用之不竭等特点,已成为新能源中最受瞩目的能源。因此,着力加强对太阳能电池等光伏产业的研究开发,不断提高光电转换效率成为企业在今后激烈的市场竞争中取胜、不断推动光伏产业技术进步和更大规模推广应用的关键,晶体硅太阳能电池是目前光伏业的主流,为了提高企业在市场中竞争力,提高晶体硅太阳电池转换效率迫在眉睫。

       常规单晶硅太阳能电池由于陷光的需要,在表面采用化学方法织构绒面,增加了表面积,通过对光的对此反射/吸收降低反射率。但绒面的存在同时也产生了负面影响,绒面深凹的位置在与金属产生接触不良的现象。因此大家考虑对硅片背表面进行抛光,使硅片背表面更加光滑甚至达到镜面效果,背抛光后硅片的背面平整,一方面可以加强对透射光的反射减小透光率,另一方面可以使铝浆与硅片表面接触更加充分提高钝化效果。

       通过背表面抛光分别使电流密度Jsc和开路电压Uoc得到了提升,从而可以提高太阳能电池的转换效率,本文就是通过试验手段对此进行了验证。

       1 太阳能电池及工艺流程

       晶体硅太阳电池的基本结构如图1所示,基体材料为p型晶体硅,厚度在200μm左右;上表面为一层n+型的扩散区,与基体共同构成光生伏特效应的基本结构--pn结;

       整个上表面均匀地覆盖着减反钝化膜;顶区表面有栅状的正面电极,背表面经丝网印刷、烧结后形成铝层覆盖的背面电场BSF(BackSurfaceField)和背面电极,正电极与n+区接触,BSF和背面电极与p区形成欧姆接触,生产流程如图1.A所示。

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