通过对比截面的SEM图像，背面抛光电池与绒面状态电池的Al-Si截面没有明显差异，但是对比BSF合金层发现，前者的BSF平均宽度6.45μm，后者为6.33μm，从这一角度还是能够发现平坦的表面容易与金属浆料良好接触，形成的BSF层更厚更均匀，这是开路电压提升的主要来源。 而电池的QE测试也可以发现明显的提升，尤其在900-1050nm的长波部分提升比较明显，这部分证实了抛光后的背反射作用对于增加长波吸收的贡献，也是短路电流Isc(或电流密度Jsc)增加的主要原因。 3 结论 通过试验测定，确定了背面抛光最优的腐蚀条件，效率有0.10%以上的增益，且对于开路电压和短路电流的相对提升幅度基本相同，经过对电池截面SEM和QE的测量，证实了BSF厚度的增加和量子效率的提高是电池性能增益的主要原因，但在腐蚀至接近镜面状态时并不能表现出最高的电性优势，这一方面可能受硅片减薄和腐蚀缺陷的影响，需要继续研究，尤其是腐蚀量较大情况下对于未来更薄硅片的适用性就越差。 另外，单晶硅电池背表面抛光技术，无需使用HNO3和H2SO4，比较环保，化学品耗用成本，抛光效果容易控制，结合有效的设备可以实现高产量、低成本、低污染运行，并且与SelectiveEmitter、LBSF、DoublePrinting、MWT等主流技术可叠加，兼容性好，可以进一步提高这些技术的电池性能，具有比较好的应用前景。 |
