| 在高HF区的腐蚀速率与温度的关系。对于高HF区，腐蚀速率与衬底取向无关，有外部催化较之无外部催化的腐蚀速率大，在该区，化学反应受HNO3浓度的影响，HNO3浓度越高，腐蚀速率越大，腐蚀速率随温度的变化分为两线性段，低温区腐蚀速率随温度的变化较高温区的变化快。
有外部催化且用H2O稀释的高HNO3区和高HF区的腐蚀速率与温度的关系，由图可见，对高HNO3区。腐蚀速率随温度的变化分为两线性段，低温区腐蚀速率谁温度的变化较高区的变化快。而在高HF区腐蚀速率随温度的变化呈单一线性关系；温度越高，腐蚀速率越大。
腐蚀液成分的影响 腐蚀液的成分对腐蚀速率影响最大。硅在HON3+HF溶液中的腐蚀速率大，而在纯HNO3或纯HF溶液中的腐蚀速率很小。从电化学角度看，其原因是在后两种情况下电极反应不能充分顺利进行的缘故。但是，若在纯HNO3溶液中加入一滴HF就可以明显地增加腐蚀速率，这是因为SiO2与HF形成六氟硅酸水溶络合物，``，使阳极反应得以顺利进行。在纯HF中加入一滴HNO3也可以大大提高腐蚀速率，因为加入的HNO3可作为一种阴极易被还原的材料，使电极顺利进行。可以看出，缺少电极反应中两个电极反应中任意一个，电化学腐蚀反应都不能顺利进行，腐蚀速率必定是缓慢的。硅在HF+HNO3溶液中的腐蚀速率与成分的关系曲线（如图）可以看出腐蚀液成分相当于电化学反应的化学当量摩尔比时，腐蚀速率最快；即在相当于含68%和32%时出现最大值，为28um/s。这就证明硅在电解质溶液中腐蚀是一种电化学腐蚀。但其反应是防热反应，在缺陷密度高时，反应速率亦加快。
图：硅在70%（重量）HNO3+49%（重量）HF混合液中的腐蚀速率与成分的关系 H2O和CH3COOH作为稀释剂的作用相似，两个系统的共同特点 1）在底HNO3及高HF浓度区（图顶角区）等腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线，由于该区有过量的HF可溶解反应产物SiO2，所以腐蚀速率受HNO3的浓度所控制，这中配方的腐蚀剂由于孕育期变化不定，腐蚀反应难以触发，并导致不稳定的硅表面，要过一段时间才会在表面上慢慢地生长一层SiO2。最后，腐蚀受氧化-还原反应速率的控制，因此有一定的取向性，但由于腐蚀进行得比较快，并伴随有热量释放。因而取向效应并不严重。 |
